一、掺入Dy和Mn的MgSO_4磷光体的热释光发光光谱（论文文献综述）
刘思源[1]（2021）在《Pr3+激活花状Sr3Al2O6橙红色长余辉材料性能分析与发光机理探究》文中研究说明长余辉发光材料具有光致发光及储光能特性,既可作为储能、节能材料也可作为药物示踪及信息存储等先进材料。本论文对长余辉发光材料进行系统资料调研,对其制备、结构、性能及发光机理进行归类总结。以化学性能稳定、量子效率高、能隙大的铝酸锶Sr3Al2O6为基质材料,稀土离子Pr3+为激活剂。采用高温固相法在空气气氛下制备了Sr3Al2O6:Pr3+、Sr3Al2O6:Pr3+,Sm3+及 Sr3Al2O6:Pr3+,Dy3+橙红色长余辉发光材料。对所制备材料的结构及发光性能进行XRD、SEM、EDS、XPS、UV-Vis吸收光谱、激发发射光谱、衰减曲线及热释光谱（TL）等表征分析。基于材料的微观结构及性能分析,构建材料的发光机理,探索改善材料发光性能的影响因素,做出了一定的创新工作,取得了一些有意义的研究成果。（1）采用高温固相法制备Pr3+激活Sr3Al2O6橙红色长余辉发光材料,其属于立方晶系、物相为PDF#24-1187,呈花状形貌。材料所测试的Sr3Al2O6直接带隙为5.32 eV,在紫外区存在的吸收带归属Pr3+的f-d跃迁,并在基质晶格中产生局域能级。位于560、612、626-634、650-659、714、740 和 761 nm 处的发射峰分别归属于 Pr3+的3P1→3HJ（J=5、6）、3p0→3HJ（J=5、6）、1D2→3HJ（J=4、5）和 3P0→3FJ（J=2、3、4）跃迁。XPS 测定与缺陷方程分析推测材料晶格中存在Vo··、VSr"、VAl’’’、Oi"、PrSr·和PrSr··缺陷及[P4Sr·-Oi"-PrSr·]/[PrSr··-Oi"-PrSr··]缺陷簇。材料能级陷阱为 0.73 eV、0.76 eV 和 0.83 eV,其深度合适且具有较高陷阱浓度,能有效蓄光且改善材料发光性能,目测余辉时间可达6 h。EPR分析证实缺陷对电子的捕获与热释放。基于能带理论及缺陷理论构建电子-空穴对发光机制。（2）Sm3+共掺杂有效改善Sr3Al2O6:Pr3+材料的发光性能,在材料中产生Vo··、PrSr·、PrSr··和SmSr·缺陷及[PrSr·-Oi"-PrSr·]/[PrSr··-Oi"-PrSr··]/[SmSr·-Oi"-SmSr·]缺陷簇。Sm3+共掺杂Sr3Al2O6:Pr3+获得合适陷阱深度0.76 eV和0.79 eV,并显着增加陷阱浓度,提高捕获载流子能力,延长电子-空穴对寿命,有效改善材料发光性能,目测余辉时间长达17 h。基于能带理论、缺陷理论作用构建Sm3+共掺杂长余辉材料的发光机理。（3）Dy3+共掺杂有效改善Sr3Al2O6:Pr3+材料的发光性能,Dy3+发挥着发光中心、缺陷提供者及敏化离子的三重功能作用。发射光谱表明,材料的橙红色发光主要来源于Pr3+的 f-f 跃迁,而 Dy3+离子的 4F9/2→6H13/2（602-622 nm）和 4F9/2→6H11/2（720-786 nm）跃迁对橙红光也有贡献。Dy3+的发射峰与Pr3+的激发峰有部分能级重叠,存在Dy3+→Pr3+的能量传递,对材料的发光性能有贡献。Dy3+与Pr3+/Pr4+共掺杂将产生Vo··、PrSr·、PrSr··和DySr·缺陷及[PrSr·-Oi"-PrSr·]/[PrSr··-Oi"-PrSr··]/[DySr·-Oi"-DySr·]缺陷簇,有效增加陷阱能级浓度,增强捕获载流子能力,明显改善材料发光性能,材料余辉时间可达10 h。根据能带理论和缺陷理论构建了材料的发光机理。
王森[2]（2021）在《Eu/Dy/Tm/Sm/Bi/Tb/Cr几种离子掺杂的发光材料的合成及发光性质研究》文中认为随着科学技术的进步和产业化进程的推进,发光二极管（LED）已成为新一代照明技术,它具有节能、发光效率高、配光准确、稳定可靠、使用寿命长、性价比高等优点,已广泛应用于城市道路照明、机场、码头、城市照明工程、健康照明、旅游景点、植物照明等场所。主流LED技术采用蓝光激发荧光粉来实现多种颜色混合光,荧光粉的发光性能对LED器件的发光性能有重要影响,尤其体现在发光品质上。随着LED照明对光品质要求的不断提高,利用蓝色或近紫外LED芯片激发混合荧光粉（包括红、绿、蓝、黄、近红外等彩色荧光粉）的技术得到了越来越多的研究。然而,适用于蓝色或近紫外LED芯片激发的发光材料较少,因此,开发和研究适用于市场需求的新型发光材料有重要的理论和实际意义。长余辉是一种特殊的现象,它可以在去除激发源后继续发光。长余辉材料作为一种新型能量存储与电子俘获材料,以其在应急照明与显示、高能射线探测、光学存储及活体成像等领域的广泛应用而备受关注。特别是在活体成像方面,近红外长余辉材料具有其他生物标志物无法比拟的优势,可以避免可见光在组织中的强吸收和散射特性,与可见光材料相比在体内获得高性能的光学成像,然而,现有的红外长余辉材料大部分是含镓元素的,地球地壳中镓的含量非常少,氧化镓作为合成近红外发光材料的原料成本高昂,限制了这类材料的批量生产和应用。因此,开发一种低成本的新型不含镓近红外长余辉材料是十分必要的。本论文主要采用传统的高温固相法为试验方法,合成了一系列LED灯用发光材料,以及新型近红外长余辉材料,并对它们的结构、发光性质、色度学性质、余辉性质及机理等进行了详细的研究和分析。主要包括以下几部分:1、首次以Na3Sc2（PO4）3为基质材料,通过单掺杂或共掺杂Eu2+、Dy3+、Tm3+、Sm3+,合成了不同颜色发光的荧光粉,包括蓝色光、黄色光、桔色光、单一基质白色光,并分别研究了各个荧光粉的荧光光谱、浓度猝灭机制、热稳定性,以及封装成LED器件后的发光性能。结果发现:以Na3Sc2（PO4）3为基质几种荧光粉的热稳定性佳,易被蓝光或近紫外激发;蓝色光荧光粉可替代LED蓝光芯片激发其他荧光粉;通过调整共同掺杂离子的浓度比例,Na3Sc2（PO4）3:Eu2+,Dy3+和Na3Sc2（PO4）3:Tm3+、Dy3+单一基质白光荧光粉可实现从蓝光到黄色光的发光可调,单一基质Na3Sc2（PO4）3:Eu2+,Sm3+荧光粉可实现蓝色光到桔色光发光颜色可调。2、首次以BiCa4（PO4）3O为基质材料,通过单掺杂Dy3+、Tb3+合成了不同颜色发光的荧光粉。文中研究了两种荧光粉的荧光光谱、浓度猝灭机制、热稳定性,以及封装成LED器件后的发光性能。结果发现:BiCa4（PO4）3O:Dy3+和BiCa4（PO4）3O:Tb3+易被蓝光或近紫外激发,BiCa4（PO4）3O:Dy3+、BiCa4（PO4）3O:Tb3+分别发出黄色光和黄绿色光,发光亮度高,且热稳定性佳。3、以Ba3Y4O9基质材料,通过单掺杂或共掺杂Bi3+、Eu3+和Zn2+合成了不同颜色发光的荧光粉。文中研究了两种荧光粉的荧光光谱、浓度猝灭机制、热稳定性,以及封装成LED器件后的发光性能。结果发现:Ba3Y4O9:Bi3+和Ba3Y4O9:Eu3+易被蓝光或近紫外激发,Ba3Y4O9:Bi3+、Ba3Y4O9:Eu3+分别发出绿色光和桔色光;通过调节Bi3+和Eu3+的掺杂比例,Ba3Y4O9:Bi3+,Eu3+可实现从绿色光到桔色光的发光颜色可调;通过调节Zn2+掺杂浓度,Ba3Y4O9:Bi3+,Eu3+,Zn2+也可以实现从绿色光到桔色光的发光颜色可调,我们推测,Zn2+掺杂促进了 Bi3+向Eu3+的能量转移;四种材料发光亮度高,且热稳定性佳。4、首次合成了Mg1.4Zn0.6SnO4:Cr3+近红外长余辉发光材料,文中研究了该长余辉材料的荧光光谱、浓度猝灭机制、热稳定性和余辉性能。结果发现:Mg1.4Zn0.6SnO4:Cr3+易被蓝光或近紫外激发,发出峰值为708和730 nm的近红外光,发光亮度高;在460nm蓝光激发5分钟后,能够持续发出18 h的余辉光;同Mg2SnO4:Cr3+相比,当掺杂了 Zn2+之后,Mg2-xZnxSnO4:Cr3+发光亮度逐渐提升,Mg1.4Zn0.6SnO4:Cr3+的发光亮度分别为Mg2SnO4:Cr3+和Zn2SnO4:Cr3+的发光亮度的2.87倍和3.09倍,当x超过0.6 mol之后Mg2-xZnxSnO4:Cr3+的发光亮度开始下降。该研究为开发不含镓的近红外长余辉材料提供了一种新的思路。
焦点[3]（2020）在《In3+,Si4+掺杂的ZnGa2O4:Cr3+长余辉材料研究》文中研究指明长余辉材料在建筑涂料、紧急照明、生物医学、信息存储等多个领域都有着广阔的应用前景,人们已在不同体系的材料中成功制备蓝、绿、黄光长余辉材料,且一些材料的高效长余辉性能已能满足实际应用的要求。然而,红色长余辉材料在发光亮度和余辉时间方面都还不够理想。本文采用高温固相法,通过在Zn Ga2O4:Cr3+中引入In3+和Si4+离子,研究其发光与余辉性能。具体包括以下工作:（1）利用高温固相法,合成了Zn Ga2O4:Cr3+,In3+红色长余辉材料。发现In3+离子掺杂改变了Cr3+离子的配位环境,使得Cr3+的4A2-4T1和4A2-4T2跃迁强度明显增强。In3+离子对Cr3+离子的配位环境的改变进一步造成了不同格位的发射峰位置不同,从而使发光光谱表现出非均匀加宽,同时提高了样品的发射光强度,其中12%In3+掺杂的Zn Ga2O4:Cr3+样品表现出最好的光致发光特性。其中9%In3+掺杂的Zn Ga2O4:Cr3+具有最好的长余辉性能。同时,In3+减小了Zn Ga2O4:Cr3+的禁带宽度,使得样品能被比紫外光能量跟小的455nm蓝光所激发产生长余辉现象。（2）通过高温固相反应合成了Si4+离子掺杂深红色发光的Zn（Bi）Ga2O4:Cr3+,In3+材料。Si4+离子的引入使得Zn（Bi）Ga2O4:Cr3+,In3+,Si4+样品的发光性能与余辉性能都得到了极大的提升,与Zn（Bi）Ga2O4:Cr3+,In3+相比其荧光强度提高了1.5倍,激发停止后80s时样品的发光强度提高了1.5倍。
赵莹[4]（2020）在《硅酸镁热释光剂量材料的制备、性能调控及发光机理研究》文中提出硅酸盐系列的无机磷光体是一种极具应用潜力的基质材料,尤其是Mg2SiO4系列,其掺杂稀土后具有良好的热释光灵敏度,可以制备出具有良好性能的热释光剂量材料。本文首先通过高温固相法制备了Mg2SiO4:RE（RE=Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Tm、Yb）系列样品。对比纯Mg2SiO4和Mg2SiO4:RE的热释光谱（TL）发现,随着稀土的掺入,晶格扭曲产生晶体缺陷,这些缺陷和稀土离子的半径有关;Mg2SiO4中的两个不同Mg2+格位允许稀土离子替换,使样品中热释光峰位发生不同程度的变化;同一样品中,热释光峰随波长会发生偏移表明稀土发光和缺陷之间有紧密联系;通过对比稀土掺杂Mg2SiO4:RE的热释光,发现Mg2SiO4:Tb的热释光性能最好,因此选用Tb作为掺杂离子进行系统研究。其次,通过改变制备方法（高温固相法和微波加热法）制备了Mg2SiO4:x mol%Tb（x=0.5,1,3,5,7）系列样品。通过X射线晶体衍射（XRD）表征发现,两种方法合成的样品均为硅酸镁晶相,其荧光光谱（PL）和热释光谱（TL）均为Tb3+的f-f跃迁,不易受周围晶体场的影响,高温固相法的样品热释光发光强度更强,对X射线的热释光响应灵敏度更高;电子顺磁共振谱（EPR）测试结果表明晶格中存在有未成对的电子,其g张量为1.9986。第三,通过改变初始原料（分别以氧化镁和碱式碳酸镁作为镁源）制备了Mg2SiO4:x mol%Tb（x=0.5,1,3,5,7）系列样品。其XRD结果表明使用高温固相法且氧化镁为镁源合成的样品的结晶强度更好;从PL结果可以发现,两种初始原料合成的Mg2SiO4:Tb的荧光均为Tb3+的发射;使用热释光测试后,发现氧化镁作为镁源合成的样品有两个主热释光峰分别在196℃、317℃,而使用碱式碳酸镁（Mg（OH）2?4MgCO3?5H2O）合成的样品其热释光峰分别在196℃、245℃、317℃,表明初始原料的不同会影响样品中的缺陷分布状态,从而影响热释光的发光峰位。Mg2SiO4:3 mol%Tb的热释光性能最佳。第四,使用高温固相法和微波加热法分别制备了Mg2SiO4:Tb,M（M=Li,Na,Ca,Al,Ga）系列样品。对比金属离子和Tb共掺杂样品的XRD发现,双掺并没有改变Mg2SiO4晶相;对样品进行扫描电镜测试（SEM）发现,由微波法合成的样品的微观结构与单掺相比有所变化,由聚集的球状变为块状结构;从PL结果可知,双掺可以有效提高样品的发光效率,不同合成方法合成的双掺样品的TL强度有所差异,微波法中Mg2SiO4:3 mol%Tb,3 mol%Na的热释光灵敏度最高,高温固相法中Mg2SiO4:3 mol%Tb,3 mol%Al的热释光灵敏度最高,其190℃的热释光峰强度最强且基本为单峰,可以用于热释光剂量计的开发和研制。总之,本论文通过对制备方法与原料、掺杂元素、掺杂浓度和共掺杂金属离子的调控,实现了对硅酸镁热释光剂量材料的制备、性能调控及发光机理的研究,结果表明,Mg2SiO4掺杂系列样品是一种优质的热释光剂量材料,在热释光剂量学领域具有潜在的应用前景。
唐强,郭竞渊,高丽,唐桦明,张纯祥[5]（2017）在《CaSO4:RE（Eu,Dy,Tm）,Mn磷光体的热释光发光谱》文中提出选择稀土Eu、Dy、Tm和过渡金属元素Mn,在CaSO4中进行掺杂,制成了CaSO4:RE、CaSO4:Mn和CaSO4:RE,Mn多晶粉末,测量了三种物质的热释光发光谱,研究稀土离子和Mn杂质在CaSO4发光中的相互作用。实验发现:稀土离子与Mn离子既是发光中心,又能对陷阱能级的分布产生影响;Mn2+对稀土离子150℃以上的高温热释光峰没有增强作用,只对较低温度的发光峰有显着的增强作用,即存在Mn2+向稀土离子的能量转移。但Mn2+对CaSO4中不同价态的稀土离子的增强作用差异很大,对Eu2+的发光有很强的增强作用,对Dy3+、Tm3+只有较弱的增强。
刘丽艳,孙一丹,于湛,田鹏,张向东,姜丽宏,李成宇[6]（2014）在《稀土Dy3+,Tm3+单掺杂的四硼酸锌磷光体的热释光》文中认为通过高温固相法合成了Dy3+,Tm3+单掺杂的四硼酸锌（ZnB4O7）磷光体,测定了室温下这2个磷光体经60Coγ-射线辐照后的三维热释光谱。从三维热释光谱可以观察到:这2个磷光体的主发光峰均位于218℃;ZnB4O7∶Tm3+磷光体的主热释光峰的发射波长为366、453、475、651和754 nm,ZnB4O7∶Dy3+磷光体的主热释光峰的发射波长为480、573、665和755 nm,分别为稀土离子Tm3+和Dy3+的特征跃迁发射。对于Tm3+掺杂的ZnB4O7磷光体,热释光发射强度较高,在辐射剂量学领域有潜在的应用。利用峰形法,评估了ZnB4O7∶Tm3+磷光体在218℃时发光峰的动力学参数,其陷阱深度E为1.64 eV,频率因子为3.42×1016s-1,遵循二级动力学。
唐强,高丽,谭志坚,张纯祥,罗达玲,刘小伟[7]（2013）在《MgB4O7:Tm,Mn磷光体的热释光特性》文中研究表明采用高温固相法制备了MgB4O7:Tm,Mn磷光体材料,测量了热释光发光曲线和热释光三维光谱以及剂量响应曲线。其主发光峰温度约为400oC,发光波长455 nm。MgB4O7:Tm,Mn主发光峰面积比LiF:Mg,Ti高6.2倍,具有很好的热稳定性,在0.1–2000 Gy范围内具有良好的线性-超线性剂量响应。
谭志坚,唐强,张纯祥,罗达玲[8]（2012）在《掺Dy,Tm和Mn的MgSO4磷光体的热释光发光谱研究》文中提出用高温固相法研制了MgSO4:Dy,MgSO4:Tm和MgSO4:Mn热释光材料,并通过将MgSO4:Dy和MgSO4:Mn混合,以及MgSO4:Tm和MgSO4:Mn混合烧结得到了双掺杂样品MgSO4:Dy,Mn,MgSO4:Tm,Mn。分别测量了这两种样品在不同热处理温度下的三维发光谱。实验结果表明热处理温度为700℃时的样品,在测量加热过程中观察到Dy和Mn离子分别发光,但超过800℃后,Mn发光强度逐渐变弱,而Tm、Dy的高温发光峰逐渐变强,其它温度的发光峰受到抑制。这表明热释光材料中形成的缺陷复合体结构与热处理温度相关,随着热处理温度的升高,愈来愈多的Mn离子与稀土离子结合紧密,因此在热释光发光谱中清楚地观察到Mn离子对稀土离子的能量转移和对Tm、Dy低于400℃发光峰进行抑制的发光过程。
罗达玲,唐强,张纯祥[9]（2011）在《热释光缺陷模型的探讨》文中提出热释光物理机制的描述及相关理论模型的建立依赖于所采用的缺陷模型。热释光动力学模型基于固体能带理论和孤立点缺陷的假设,完全不涉及介质中的缺陷结构和空间分布。实际应用中,动力学模型参数并不能给出确切的意义,对许多热释光物理现象也无法解释。本文基于掺入稀土的碱土硫酸盐磷光体的系统实验研究,分析了热释光三维发光谱和剂量响应非线性特性,结果显示,大多数热释光磷光体中缺陷是以缺陷复合体的形式存在,本征缺陷和掺入杂质构成的缺陷复合体是热释光多阶段随机过程的基本作用单元,表明热释光磷光体的发光特性和剂量响应非线性特性与缺陷复合体的结构密切相关。
马卫江,唐强,张纯祥,刘小伟[10]（2010）在《掺Dy与Mn的硼酸镁热释光发光谱》文中指出本文制备了掺Dy和Mn的MgB4O7的磷光体,并测量其热释光发光谱。测量结果表明,MgB4O7:Mn的热释光发光峰位于180℃和300℃左右,其发光波长分布较宽,中心约为580nm;而MgB4O7:Dy的热释光发光峰位于200℃和350℃,发光波长由Dy3+离子的能级跃迁决定,位于480、580、680和750nm左右。当两者共掺时,只改变Mn的浓度,测量结果发现,随着Mn掺杂浓度的增加,480nm和680nm左右的发光受到抑制,并且低温峰也受到强烈抑制,而580nm的高温峰逐渐增强并且发光谱变宽。
二、掺入Dy和Mn的MgSO_4磷光体的热释光发光光谱（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、掺入Dy和Mn的MgSO_4磷光体的热释光发光光谱（论文提纲范文）
（1）Pr3+激活花状Sr3Al2O6橙红色长余辉材料性能分析与发光机理探究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 长余辉发光材料概述 |
| 1.2 长余辉发光材料的基本组成 |
| 1.2.1 基质材料 |
| 1.2.2 激活剂 |
| 1.2.3 辅助激活剂 |
| 1.2.4 助熔剂 |
| 1.2.5 电荷补偿剂 |
| 1.3 红色长余辉发光材料概述 |
| 1.4 红色长余辉发光材料的分类 |
| 1.4.1 硫化物长余辉发光材料 |
| 1.4.2 硫氧化物长余辉发光材料 |
| 1.4.3 钛酸盐长余辉发光材料 |
| 1.4.4 铝酸盐长余辉发光材料 |
| 1.4.5 硅酸盐长余辉发光材料 |
| 1.4.6 其它长余辉发光材料 |
| 1.5 红色长余辉发光材料的制备方法 |
| 1.5.1 高温固相法 |
| 1.5.2 溶胶凝胶法 |
| 1.5.3 微波法 |
| 1.6 提高长余辉发光材料发光性能的方法 |
| 1.7 长余辉发光机理 |
| 1.7.1 Matsuzawa模型 |
| 1.7.2 Dorenbos模型 |
| 1.7.3 Aitasalo模型 |
| 1.7.4 Clabau模型 |
| 1.7.5 Aitasalo修正模型 |
| 1.7.6 隧穿效应模型 |
| 1.8 Sr_3Al_2O_6体系红色长余辉发光材料的研究进展 |
| 1.9 本课题的研究意义 |
| 参考文献 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 实验原料及仪器 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 样品的制备 |
| 2.2.1 样品Sr_3Al_2O_6:Pr~(3+)的制备 |
| 2.2.2 样品Sr_3Al_2O_6:Pr~(3+),Sm~(3+)的制备 |
| 2.2.3 样品Sr_3Al_2O_6:Pr~(3+),Dy~(3+)的制备 |
| 2.3 样品表征 |
| 2.3.1 X射线粉末衍射仪 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 |
| 2.3.3 紫外可见光吸收光谱 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱 |
| 2.3.5 电子核磁共振技术 |
| 2.3.6 激发和发射光谱 |
| 2.3.7 余辉衰减曲线 |
| 2.3.8 热释光谱分析 |
| 第三章 Pr~(3+)激活Sr_3Al_2O_6材料的性能分析及发光机理 |
| 3.1 样品的结构表征 |
| 3.2 能谱分析 |
| 3.3 紫外可见吸收光谱 |
| 3.4 激发-发射光谱 |
| 3.5 热释光谱分析 |
| 3.6 EPR光谱 |
| 3.7 余辉衰减曲线 |
| 3.8 发光机理 |
| 3.9 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 Sr_3Al_2O_6:Pr~(3+),Sm~(3+)材料性能分析及发光机理 |
| 4.1 样品结构分析 |
| 4.2 能谱分析 |
| 4.3 紫外可见吸收光谱 |
| 4.4 激发-发射光谱 |
| 4.5 热释光谱分析 |
| 4.6 余辉性能分析 |
| 4.7 发光机理 |
| 4.8 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 Sr_3Al_2O_6:Pr~(3+),Dy~(3+)材料性能分析及发光机理 |
| 5.1 结构表征 |
| 5.2 能谱分析 |
| 5.3 激发-发射光谱 |
| 5.4 热释光谱分析 |
| 5.5 余辉衰减曲线 |
| 5.6 发光机理 |
| 5.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 结论与展望 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间完成的科研成果 |
（2）Eu/Dy/Tm/Sm/Bi/Tb/Cr几种离子掺杂的发光材料的合成及发光性质研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 发光及发光离子 |
| 1.1.1 发光简述 |
| 1.1.2 常见发光离子 |
| 1.1.2.1 稀土离子 |
| 1.1.2.2 过渡金属离子 |
| 1.1.2.3 s~2构型的离子 |
| 1.2 LED用发光材料 |
| 1.2.1 LED工作原理 |
| 1.2.2 LED用发光材料的特性 |
| 1.2.3 已有适用于LED的发光材料 |
| 1.2.4 LED封装工艺对发光材料的要求 |
| 1.3 长余辉发光材料 |
| 1.4 发光材料的主要表征手段 |
| 1.5 论文选题意义及主要研究内容 |
| 1.5.1 论文选题意义 |
| 1.5.2 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 主要试剂 |
| 2.2 样品制备 |
| 2.3 样品测试表征 |
| 第三章 以Na_3Sc_2(PO_4)_3为基质的荧光材料的合成及性质研究 |
| 3.1 单一基质白光Na_3Sc_2(PO_4)_3:Eu~(2+),Dy~(3+)荧光材料的合成及性质研究 |
| 3.1.1 样品制备 |
| 3.1.2 结果与讨论 |
| 3.1.2.1 结构表征与物相分析 |
| 3.1.2.2 形态分析 |
| 3.1.2.3 NSPO:Eu~(2+),Dy~(3+)的发光性质研究 |
| 3.1.2.4 NSPO:Eu~(2+),Dy~(3+)的能量转移与CIE色度坐标 |
| 3.1.2.5 NSPO:0.01Eu~(2+),0.04Dy~(3+)的热稳定性 |
| 3.1.2.6 NSPO:Eu~(2+),Dy~(3+)封装成LED器件的电致发光性质 |
| 3.1.3 小结 |
| 3.2 蓝色Na_3Sc_2(PO_4)_3:Tm~(3+)荧光材料的合成及性质研究 |
| 3.2.1 样品制备 |
| 3.2.2 结果与讨论 |
| 3.2.2.1 结构表征与物相分析 |
| 3.2.2.2 NSPO:Tm~(3+)的形貌分析 |
| 3.2.2.3 NSPO:Tm~(3+)的发光性质研究 |
| 3.2.2.4 NSPO:Tm~(3+)的热稳定性 |
| 3.2.2.5 NSPO:Tm~(3+)的发光机理 |
| 3.2.2.6 NSPO:Tm~(3+)封装成LED器件的电致发光性质 |
| 3.2.3 小结 |
| 3.3 单一基质白光Na_3Sc_2(PO_4)_3:Tm~(3+),Dy~(3+)荧光材料的合成及性质研究 |
| 3.3.1 样品制备 |
| 3.3.2 结果与讨论 |
| 3.3.2.1 结构表征与物相分析 |
| 3.3.2.2 形态分析 |
| 3.3.2.3 NSPO:Tm~(3+),Dy~(3+)的发光性质研究 |
| 3.3.2.4 NSPO:Tm~(3+),Dy~(3+)的能量转移与CIE色度坐标 |
| 3.3.2.5 NSPO:0.06Tm~(3+),0.06Dy~(3+)的热稳定性 |
| 3.3.2.6 NSPO:Tm~(3+),Dy~(3+)封装成LED器件的电致发光性质 |
| 3.3.3 小结 |
| 3.4 颜色可调Na_3Sc_2(PO_4)_3:Eu~(2+),Sm~(3+)的合成及性质研究 |
| 3.4.1 样品制备 |
| 3.4.2 结果与讨论 |
| 3.4.2.1 结构表征与物相分析 |
| 3.4.2.2 形态分析 |
| 3.4.2.3 NSPO:Eu~(2+),Sm~(3+)的发光性质研究 |
| 3.4.2.4 NSPO:Eu~(2+),Sm~(3+)的能量转移与CIE色度坐标 |
| 3.4.2.5 NSPO:0.001Eu~(2+),0.05Sm~(3+)的热稳定性 |
| 3.4.3 小结 |
| 第四章 以BiCa_4(PO_4)_3O为基质的荧光材料的合成及性质研究 |
| 4.1 黄光荧光材料BiCa_4(PO_4)_3O:Dy~(3+)的合成及性质研究 |
| 4.1.1 样品制备 |
| 4.1.2 结果与讨论 |
| 4.1.2.1 结构表征与物相分析 |
| 4.1.2.2 BCPO:Dy~(3+)的发光性质研究 |
| 4.1.2.3 BCPO:0.05Dy~(3+)的热稳定性 |
| 4.1.2.4 BCPO:O.05Dy~(3+)LED器件的电致发光性质 |
| 4.1.3 小结 |
| 4.2 黄绿色荧光材料BiCa_4(PO_4)_3O:Tb~(3+)的合成及发光性质研究 |
| 4.2.1 样品制备 |
| 4.2.2 结果与讨论 |
| 4.2.2.1 结构表征与物相分析 |
| 4.2.2.2 BCPO:Tb~(3+)的形貌分析 |
| 4.2.2.3 BCPO:Tb~(3+)的发光性质研究 |
| 4.2.2.4 BCPO:Tb~(3+)的热稳定性 |
| 4.2.2.5 BCPO:0.07Tb~(3+)封装成LED器件的电致发光性质 |
| 4.2.3 小结 |
| 第五章 以Ba_3Y_4O_9为基质荧光材料的合成及性质研究 |
| 5.1 红色荧光材料Ba_3Y_4O_9:Eu~(3+)的合成及性质研究 |
| 5.1.1 样品制备 |
| 5.1.2 结果与讨论 |
| 5.1.2.1 结构表征与物相分析 |
| 5.1.2.2 BYO:Eu~(3+)的形貌分析 |
| 5.1.2.3 BYO:Eu~(3+)材料的发光性质研究 |
| 5.2 绿色荧光材料Ba_3Y_(4-y)O_9:yBi~(3+)和Ba_(2.92)Y_(4-y)O_9:0.08Zn~(2+),yBi~(3+)的合成及性质研究 |
| 5.2.1 样品制备 |
| 5.2.2 结果与讨论 |
| 5.2.2.1 结构表征与物相分析 |
| 5.2.2.2 Ba_3Y_(3.96)O_9:0.04Bi~(3+)和Ba_(2.92)Y_(3.96)O_9:0.08Zn~(2+),0.04Bi~(3+)材料的发光性质研究 |
| 5.3 颜色可调Ba_3Y_4O_9:Bi~(3+),Eu~(3+)荧光材料的合成及性质研究 |
| 5.3.1 样品制备 |
| 5.3.2 结果与讨论 |
| 5.3.2.1 结构表征与物相分析 |
| 5.3.2.2 BYO:0.04Bi~(3+),0.20Eu~(3+)的形貌分析 |
| 5.3.2.3 BYO:0.04Bi~(3+),xEu~(3+)的发光性质研究 |
| 5.3.3 小结 |
| 5.4 Ba_(3-x)Y_(3.76)O_9:0.04Bi~(3+),0.2Eu~(3+),xZn~(2+)荧光材料的合成及性质研究 |
| 5.4.1 样品制备 |
| 5.4.2 结果与讨论 |
| 5.4.2.1 结构表征与物相分析 |
| 5.4.2.2 BYO:0.04Bi~(3+),0.2Eu~(3+),xZn~(2+)的发光性质研究 |
| 5.4.3 小结 |
| 第六章 宽带近红外发射Mg_(1.4)Zn_(0.6)SnO_4:Cr~(3+)长余辉材料的合成及发光性质研究 |
| 6.1 样品制备 |
| 6.2 结果与讨论 |
| 6.2.1 结构表征与物相分析 |
| 6.2.2 Mg_(1.4)Zn_(0.6)SnO_4:0.03Cr~(3+)的形貌分析 |
| 6.2.3 Mg_(2-x)Zn_xSnO_4系列荧光材料的发光性质研究 |
| 6.2.4 Mg_(1.4)Zn_(0.6)SnO_4:0.03Cr~(3+)的热稳定性 |
| 6.2.5 Mg_(1.4)Zn_(0.6)SnO_4:yCr~(3+)的长余辉发光性能 |
| 6.2.6 Mg_(1.4)Zn_(0.6)SnO_4:0.005Cr~(3+)的热释光性能 |
| 6.2.7 Mg_(2-x)Zn_xSnO_4:Cr~(3+)的长余辉发光机理 |
| 6.3 小结 |
| 第七章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（3）In3+,Si4+掺杂的ZnGa2O4:Cr3+长余辉材料研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 红色长余辉材料简介 |
| 1.3 主要制备方法 |
| 1.4 长余辉发光材料的机理 |
| 1.5 Cr~(3+)离子的能级结构与发光特性 |
| 1.6 论文选题依据和研究内容 |
| 第二章 实验设计与表征手段 |
| 2.1 实验试剂 |
| 2.2 实验设备 |
| 2.3 长余辉发光材料的表征手段 |
| 第三章 In~(3+)掺杂对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)余辉性能的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品的制备与X射线衍射图谱分析 |
| 3.3 样品的光致发光性能与机理 |
| 3.4 样品的余辉特性与机理 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 Si~(4+)掺杂的ZnBi_(0.02)Ga_(1.98)O_4:Cr~(3+),In~(3+)的发光与长余辉性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品的制备 |
| 4.3 Si~(4+),Ge~(4+),Sn~(4+)掺杂的ZBGO:Cr~(3+),In~(3+)样品的比较 |
| 4.4 Si~(4+)掺杂的ZBGO:Cr~(3+),In~(3+)样品的光致发光与余辉特性与机理 |
| 4.5 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 |
（4）硅酸镁热释光剂量材料的制备、性能调控及发光机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 热释光简介 |
| 1.1.1 热释光发光机理 |
| 1.1.2 热释光发光模型 |
| 1.1.2.1 简单的热释光发光模型 |
| 1.1.2.2 较复杂的热释光发光模型 |
| 1.1.3 热释光分析方法 |
| 1.1.4 热释光技术的应用 |
| 1.1.5 热释光剂量学 |
| 1.1.5.1 热释光剂量学的性质 |
| 1.1.5.2 常见的热释光材料 |
| 1.2 硅酸镁材料的研究现状 |
| 1.3 硅酸镁材料的制备方法 |
| 1.3.1 高温固相法 |
| 1.3.2 溶胶-凝胶法 |
| 1.3.3 水热合成法 |
| 1.3.4 微波加热法 |
| 1.4 选题意义与研究内容 |
| 1.4.1 选题意义 |
| 1.4.2 研究内容 |
| 1.4.3 研究的创新性 |
| 第2章 样品制备与表征 |
| 2.1 稀土掺杂硅酸镁的制备 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 样品制备工艺 |
| 2.1.2.1 高温固相法制备硅酸镁 |
| 2.1.2.2 微波加热法制备硅酸镁 |
| 2.1.2.3 硅酸镁的实验原理及制备流程 |
| 2.2 样品表征方法 |
| 第3章 稀土掺杂硅酸镁材料的热释光 |
| 3.1 稀土掺杂硅酸镁的XRD |
| 3.2 稀土掺杂硅酸镁的发射光谱 |
| 3.3 纯硅酸镁的三维热释光 |
| 3.4 稀土掺杂硅酸镁的二维热释光 |
| 3.5 稀土掺杂硅酸镁的三维热释光 |
| 3.5.1 Mg_2SiO_4: Ce的三维热释光 |
| 3.5.2 Mg_2SiO_4: Pr的三维热释光 |
| 3.5.3 Mg_2SiO_4: Nd的三维热释光 |
| 3.5.4 Mg_2SiO_4: Sm的三维热释光 |
| 3.5.5 Mg_2SiO_4: Eu的三维热释光 |
| 3.5.6 Mg_2SiO_4: Tb的三维热释光 |
| 3.5.7 Mg_2SiO_4: Dy的三维热释光 |
| 3.5.8 Mg_2SiO_4: Er的三维热释光 |
| 3.5.9 Mg_2SiO_4: Tm的三维热释光 |
| 3.5.10 Mg_2SiO_4: Yb的三维热释光 |
| 3.6 不同稀土掺杂硅酸镁热释光特性的对比 |
| 3.7 小结 |
| 第4章 Mg_2SiO_4: Tb热释光材料 |
| 4.1 不同原料高温固相法制备铽掺杂硅酸镁 |
| 4.1.1 铽掺杂浓度对硅酸镁的XRD |
| 4.1.2 硅酸镁的SEM |
| 4.1.3 铽掺杂浓度对硅酸镁的PL影响 |
| 4.1.4 铽掺杂浓度对硅酸镁的TL影响 |
| 4.1.5 铽掺杂浓度对硅酸镁的EPR影响 |
| 4.2 不同原料微波加热法制备铽掺杂硅酸镁 |
| 4.2.1 铽掺杂浓度对硅酸镁的XRD |
| 4.2.2 硅酸镁的 SEM |
| 4.2.3 铽掺杂浓度对硅酸镁的PL影响 |
| 4.2.4 铽掺杂浓度对硅酸镁的TL影响 |
| 4.2.5 铽掺杂浓度对硅酸镁的EPR影响 |
| 4.3 小结 |
| 第5章 Mg_2SiO_4: Tb,M双掺热释光材料 |
| 5.1 高温固相法合成Mg_2SiO_4: Tb,M(M=Na,Ca,Al) |
| 5.1.1 Mg_2SiO_4: Tb,M的XRD |
| 5.1.2 Mg_2SiO_4: Tb,M的PL |
| 5.1.3 Mg_2SiO_4: Tb,M的TL |
| 5.1.4 Mg_2SiO_4: Tb,M的三维热释光 |
| 5.2 微波加热法合成Mg_2SiO_4: Tb,M(M=Li,Na,Ca,Al,Ga) |
| 5.2.1 Mg_2SiO_4: Tb,M的XRD |
| 5.2.2 Mg_2SiO_4: Tb,M的SEM |
| 5.2.3 Mg_2SiO_4: Tb,M的PL |
| 5.2.4 Mg_2SiO_4: Tb,M的二维TL |
| 5.2.5 Mg_2SiO_4: Tb,M的三维TL |
| 5.3 小结 |
| 第6章 结果分析与讨论 |
| 6.1 不同的稀土掺杂对硅酸镁发光的影响 |
| 6.2 不同合成方法对Mg_2SiO_4: Tb性能的影响 |
| 6.3 初始原料对Mg_2SiO_4: Tb性能的影响 |
| 6.4 金属离子双掺对Mg_2SiO_4: Tb性能的影响 |
| 第7章 总结与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（5）CaSO4:RE（Eu,Dy,Tm）,Mn磷光体的热释光发光谱（论文提纲范文）
| 1 实验方法 |
| 2 实验结果 |
| 2.1 Ca SO4:RE的热释光三维发光谱 |
| 2.2 Ca SO4:Mn和Ca SO4:RE, Mn的热释光三维发光谱 |
| 2.3 分析与讨论 |
| 3 结论 |
（6）稀土Dy3+,Tm3+单掺杂的四硼酸锌磷光体的热释光（论文提纲范文）
| 1 实验部分 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 Zn B4O7磷光体的结构表征 |
| 2.2 Dy3+,Tm3+单掺杂的Zn B4O7磷光体的热释光谱 |
| 2.3 Zn B4O7∶0.04Tm3+磷光体的动力学 |
| 3 结论 |
（7）MgB4O7:Tm,Mn磷光体的热释光特性（论文提纲范文）
| 1 材料与方法 |
| 1.1 材料的制备 |
| 1.2 辐照与测试 |
| 2 实验结果与讨论 |
| 2.1 热释光发光谱 |
| 2.2 热释光发光曲线 |
| 2.3 热释光动力学参数 |
| 2.4 剂量响应曲线 |
| 3 结语 |
（8）掺Dy,Tm和Mn的MgSO4磷光体的热释光发光谱研究（论文提纲范文）
| 1 材料与方法 |
| 2 实验结果与讨论 |
| 2.1 单掺杂MgSO4样品的热释光发光谱 |
| 2.2 MgSO4:Dy,Mn样品的热释光发光谱与热处理温度的关系 |
| 2.3 MgSO4:Tm,Mn样品的热释光发光谱与热处理温度的关系 |
| 3 结论 |
（9）热释光缺陷模型的探讨（论文提纲范文）
| 1 热释光三维发光谱与磷光体的基质和掺入杂质相关 |
| 2 磷光体中本征缺陷和掺入杂质构成缺陷复合体 |
| 3 热释光剂量响应的非线性特性与缺陷复合体的结构密切相关 |
| 4 缺陷复合体是热释光多阶段随机过程的基本作用单元 |
| 5 结语 |
（10）掺Dy与Mn的硼酸镁热释光发光谱（论文提纲范文）
| 1 材料与方法 |
| 2 实验结果 |
| 2.1 Mg B4O7:Dy (0.5 mol%) 的热释光发光谱 |
| 2.2 Mg B4O7:Mn (0.5 mol%) 的热释光发光谱 |
| 2.3 Mg B4O7:Dy (0.5 mol%) , Mn (0.05–1 mol%) 的热释光发光谱 |
| 3 讨论 |
四、掺入Dy和Mn的MgSO_4磷光体的热释光发光光谱（论文参考文献）
- [1]Pr3+激活花状Sr3Al2O6橙红色长余辉材料性能分析与发光机理探究[D]. 刘思源. 闽南师范大学, 2021(12)
- [2]Eu/Dy/Tm/Sm/Bi/Tb/Cr几种离子掺杂的发光材料的合成及发光性质研究[D]. 王森. 中国科学技术大学, 2021(09)
- [3]In3+,Si4+掺杂的ZnGa2O4:Cr3+长余辉材料研究[D]. 焦点. 湘潭大学, 2020(02)
- [4]硅酸镁热释光剂量材料的制备、性能调控及发光机理研究[D]. 赵莹. 中国地质大学(北京), 2020(08)
- [5]CaSO4:RE（Eu,Dy,Tm）,Mn磷光体的热释光发光谱[J]. 唐强,郭竞渊,高丽,唐桦明,张纯祥. 中山大学学报(自然科学版), 2017(05)
- [6]稀土Dy3+,Tm3+单掺杂的四硼酸锌磷光体的热释光[J]. 刘丽艳,孙一丹,于湛,田鹏,张向东,姜丽宏,李成宇. 应用化学, 2014(07)
- [7]MgB4O7:Tm,Mn磷光体的热释光特性[J]. 唐强,高丽,谭志坚,张纯祥,罗达玲,刘小伟. 核技术, 2013(02)
- [8]掺Dy,Tm和Mn的MgSO4磷光体的热释光发光谱研究[J]. 谭志坚,唐强,张纯祥,罗达玲. 核技术, 2012(04)
- [9]热释光缺陷模型的探讨[J]. 罗达玲,唐强,张纯祥. 核技术, 2011(02)
- [10]掺Dy与Mn的硼酸镁热释光发光谱[J]. 马卫江,唐强,张纯祥,刘小伟. 核技术, 2010(01)