一、奥地利微电子推出可编程能量测量集成电路(论文文献综述)
刘伟岩[1](2020)在《战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角》文中研究表明2008年经济危机后,为摆脱经济下行的轨道,美国、日本、德国先后提出了“重振制造业”(2009年)、日本版“第四次工业革命”(2010年)、“工业4.0”(2012年)等战略计划,而我国也于2015年提出了“中国制造2025”的行动纲领。这些战略规划的陆续出台拉开了以大数据、云计算、物联网(Io T)、人工智能(AI)等为标志的新一轮科技革命的帷幕。而作为第二经济大国,我国应如何借助于这一难得机遇来推动国内产业升级则成为亟待思考的问题。回顾日本走过的“路”可知,其也曾作为“第二经济大国”面临过相似的难题,且从中日经济发展历程比较和所面临的“三期叠加”状态来看,我国现阶段也更为接近20世纪70年代的日本,而日本却在当时的情况下借助于以微电子技术为核心的科技革命成功地推动了国内产业的改造升级。基于此,本文以日本为研究对象并将研究阶段锁定在其取得成功的战后至20世纪80年代这一时期,进而研究其所积累的经验和教训,以期为我国接下来要走的“路”提供极具价值的指引和借鉴。在对熊彼特创新理论以及新熊彼特学派提出的技术经济范式理论、产业技术范式理论、国家创新体系理论和部门创新体系理论等进行阐述的基础上,本文借助于此从创新体系的视角构建了“科技革命推动产业升级”的理论分析框架,即:从整体产业体系来看,其属于技术经济范式转换的过程,该过程是在国家创新体系中实现的,且两者间的匹配性决定着产业升级的绩效;而深入到具体产业来看,其又是通过催生新兴产业和改造传统产业来实现的,对于此分析的最佳维度则是能够体现“产业间差异性”的部门创新体系,同样地,两者间的匹配性也决定着各产业升级的成效。回顾科技革命推动日本产业升级的历程可知,其呈现出三个阶段:20世纪50~60年代的“重化型”化,70~80年代的“轻薄短小”化,以及90年代后的“信息”化。其中,“轻薄短小”化阶段是日本发展最为成功的时期,也是本文的研究范畴所在。分析其发生的背景可知:虽然效仿欧美国家构建的重化型产业结构支撑了日本经济“独秀一枝”的高速发展,但在日本成为第二经济大国后,这一产业结构所固有的局限性和问题日渐凸显,倒逼着日本垄断资本进行产业调整;而与此同时,世界性科技革命的爆发恰为其提供了难得的历史机遇;但是这种机遇对于后进国来说在一定意义上又是“机会均等”的,该国能否抓住的关键在于其国内的技术经济发展水平,而日本战后近20年的高速增长恰为其奠定了雄厚的经济基础,且“引进消化吸收再创新”的技术发展战略又在较短的时间内为其积累了殷实的技术基础。在这一背景下,借助于上文所构建的理论分析框架,后文从创新体系的视角解释了战后以微电子技术为核心的科技革命是如何推动日本产业升级以及日本为何更为成功的。就整体产业体系而言,科技革命的发生必然会引致技术经济范式转换进而推动产业升级,且这一过程是在由政府、企业、大学和科研机构以及创新主体联盟等构建的国家创新体系中实现的。战后科技革命的发源地仍是美国,日本的参与借助的是范式转换过程中创造的“第二个机会窗口”,换言之,日本的成功得益于对源于美国的新技术的应用和开发研究,其技术经济范式呈现出“应用开发型”特点。而分析日本各创新主体在推动科技成果转化中的创新行为可以发现,无论是政府传递最新科技情报并辅助企业引进技术、适时调整科技发展战略和产业结构发展方向、制定激励企业研发的经济政策和专利保护制度、采取措施加速新技术产业化的进程、改革教育体制并强化人才引进制度等支持创新的行为,还是企业注重提升自主创新能力、遵循“现场优先主义”原则、实施“商品研制、推销一贯制”、将资金集中投向开发研究和创新链的中下游环节以及培训在职人员等创新行为,或是大学和科研机构针对产业技术进行研究、重视通识教育和“强固山脚”教育以及培养理工科高科技人才等行为,亦或是“政府主导、企业主体”型的创新主体联盟联合攻关尖端技术、建立能够促进科技成果转化的中介机构、联合培养和引进优秀人才等行为都是能够最大限度地挖掘微电子技术发展潜力的。而这种“追赶型”国家创新体系与“应用开发型”技术经济范式间的相匹配正是日本能够更为成功地借力于战后科技革命推动产业升级的根因所在。进一步地从具体产业来看,科技革命引致的技术经济范式转换表现为新兴技术转化为新兴产业技术范式和改造传统产业技术范式的过程,这也是科技革命“双重性质”的体现。而对这一层面的分析则要用到能够体现“产业间差异性”的部门创新体系。在选取半导体产业和计算机产业作为新兴产业的代表,以及选取工业机器产业(以数控机床和工业机器人为主)和汽车产业作为微电子技术改造传统机械产业的典型后,本文的研究发现:由于这些产业在技术体制、所处的产业链位置、所在的技术生命周期阶段等方面的不同,其产业技术范式是相异的,而日本之所以能够在这些产业上均实现自主创新并取得巨大成功就在于日本各创新主体针对不同的产业技术范式进行了相应的调整,分别形成了与之相匹配的部门创新体系。而进一步比较各部门创新体系可知,日本政府和企业等创新主体针对“催新”和“改旧”分别形成了一套惯行的做法,但在这两类产业升级间又存在显着的差异,即:日本政府在“催新”中的技术研发和成果转化中均表现出了贯穿始终的强干预性,尤其是在计算机产业上;而在“改旧”中则干预相对较少,主要是引导已具备集成创新能力的“逐利性”企业去发挥主体作用。作为一种“制度建设”,创新体系具有“临界性”特点且其优劣的评析标准是其与技术经济范式的匹配性。日本能够成功地借力于以微电子技术为核心的科技革命推动国内产业升级的经验就在于其不仅构建了与当时技术经济范式相匹配的国家创新体系,而且注重创新体系的层级性和差异性建设,加速推进了新兴产业技术范式的形成,并推动了新旧产业的协调发展。但是,这种致力于“应用开发”的“追赶型”创新体系也存在着不可忽视的问题,如:基础研究能力不足,不利于颠覆性技术创新的产生,以及政府主导的大型研发项目模式存在定向失误的弊端等,这也是日本创新和成功不可持续以致于在20世纪90年代后重新与美国拉开差距的原因所在。现阶段,新一轮科技革命的蓬勃兴起在为我国产业升级提供追赶先进国家的“机会窗口”的同时,也为新兴产业的发展提供了“追跑”“齐跑”“领跑”并行发展的机遇,并为传统产业的高质量发展带来了难得的机会。由于相较于20世纪70年代的日本,我国现阶段所面临的情况更为复杂,因此,必须构建极其重视基础研究且具有灵活性的国家创新生态体系,重视部门创新体系的“产业间差异性”,形成与新兴产业技术范式相匹配的部门创新体系,以及建设能够促进传统产业技术范式演化升级的部门创新体系等。
高适萱[2](2020)在《自加热双惠斯通电桥MEMS风速风向传感器研究》文中研究表明与传统风速风向传感器相比,MEMS(微电子机械系统)风速风向传感器具有微型化、集成化、低功耗、低成本的优势,在农业、工业、交通以及国防等领域有广泛应用前景,是风速风向传感器研发的前沿方向。东南大学MEMS教育部重点实验室自2000年开始研究热式MEMS风速风向传感器,已经在设计、制造、封装、测量与控制、可靠性等方面形成了完整解决方案,但目前的产品采用热温差工作原理,较复杂的测量与控制电路会引起传感器系统功耗和成本增加,外置环境温度传感器与芯片温度传感器的温度变化率不同,增加了风速风向传感器温度补偿难度。针对这些问题,本文的主要研究内容和创新如下:(1)系统综述了国内外MEMS风速风向传感器发展,分析比较了传感器工作模式和测控方法。(2)提出一种自加热双惠斯通电桥风速风向传感器结构,不需环境温度传感器与芯片温度传感器,简化了测量与控制电路。用恒流源激励传感器两个正交方向上四个热敏感电阻组成的自加热惠斯通电桥,用两个电桥输出电压均值来表征风速,两个惠斯通电桥的桥路输出电压表征风向。基于热学原理和惠斯通桥路理论,建立了传感器输出电压与流体流速的表达式,并用有限元软件进行了验证。采用陶瓷衬底和金属剥离技术,设计并制备出风速风向传感器,传感器灵敏度达29.35 m V/(m/s)@3.3 m/s和2.38 m V/(m/s)@23.9 m/s。研制的传感器室温下在040m/s风速范围内,风速测量误差小于±2m/s;在0°至360°的全角度风向测量范围内,风向测量误差小于±3°。(3)建立了自加热双惠斯通电桥风速风向传感器温度效应模型,实现了传感器温度补偿。通过考虑空气热物理参数、衬底材料导热系数、热敏电阻阻值随环境温度的变化,建立了自加热双惠斯通电桥风速风向传感器温度效应的理论公式,并用有限元分析验证。通过传感器在变温风洞中测试,提取出理论公式的温度效应系数,实现了温度漂移补偿。实验结果表明:在温度270310K范围,风速误差小于±1.5 m/s;风向误差小于±4°。(4)提出并实现一种四周隔热岛组装方案,实现传感器系统的室外工作。将温度敏感电阻制备在陶瓷衬底上,划片后的方形陶瓷热敏感芯片四周用低导热胶与挖孔陶瓷片相连,为传感器提供了稳定的气体流场,又有效降低传感器横向热阻。校准后,传感器系统在室温下满足测试需求,在060m/s风速范围内,风速误差小于±(0.5+0.03V)m/s,风向误差±3.5°。本文实现的风速风向传感器测控电路简单,全温区、全量程稳定性较好,对MEMS风速风向传感器发展有重要参考价值。
刘欣[3](2019)在《中国物理学院士群体计量研究》文中进行了进一步梳理有关科技精英的研究是科学技术史和科学社会学交叉研究的议题之一,随着中国近现代科技的发展,中国科技精英的规模逐渐扩大,有关中国科技精英的研究也随之增多,但从学科角度进行科技精英的研究相对偏少;物理学是推动自然科学和现代技术发展的重要力量,在整个自然科学学科体系中占有较高地位,同时与国民经济发展和国防建设密切关联,是20世纪以来对中国影响较大的学科之一;中国物理学院士是物理学精英的代表,探讨中国物理学院士成长路径的问题,不仅有助于丰富对中国物理学院士群体结构和发展趋势的认识,而且有助于为中国科技精英的成长和培养提供相关借鉴;基于此,本文围绕“中国物理学院士的成长路径”这一问题,按照“变量——特征——要素——路径”的研究思路,引入计量分析的研究方法,对中国物理学院士这一群体进行了多角度的计量研究,文章主体由以下四部分组成。第一部分(第一章)以“院士制度”在中国的发展史为线索,通过对1948年国民政府中央研究院和国立北平研究院推选产生中国第一届物理学院士,1955年和1957年遴选出新中国成立后的前两届物理学学部委员、1980年和1991年增补的物理学学部委员、1993年后推选产生的中国科学院物理学院士、1994年后的中国科学院外籍物理学院士和中国工程院物理学院士,及其他国家和国际组织的华裔物理学院士的搜集整理,筛选出319位中国物理学院士,构成本次计量研究的样本来源。第二部分(第二至九章)对中国物理学院士群体进行计量研究。首先,以基本情况、教育经历、归国工作,学科分布、获得国内外重大科技奖励等情况为变量,对中国物理学院士群体的总体特征进行了计量分析;其次,按照物理学的分支交叉学科分类,主要对中国理论物理学、凝聚态物理学、光学、高能物理学、原子核物理学这五个分支学科的院士群体特征分别进行了深入的计量分析,对其他一些分支交叉学科,诸如天体物理学、生物物理学、工程热物理、地球物理学、电子物理学、声学、物理力学和量子信息科技等领域的院士群体的典型特征进行了计量分析,分析内容主要包括不同学科物理学院士的年龄结构、学位结构、性别比例,在各研究领域的分布、发展趋势和师承关系等;再次,在对各分支交叉学科物理学院士的基本情况和研究领域计量分析的基础上,对不同学科间物理学院士的基本情况进行比较研究,对中国物理学院士研究领域和代际演化进行趋势分析。第三部分(第十章)在第二部分计量分析的基础上,总结归纳出中国物理学院士的群体结构特征、研究领域和代际演化的趋势特征。中国物理学院士的群体结构呈现整体老龄化问题严重,但近些年年轻化趋向较为明显,整体学历水平较高,同时本土培养物理学精英的能力增强,女性物理学院士占比较低但他们科技贡献突出,空间结构“集聚性”较强,但近些年这种“集聚性”逐渐被打破等特征;中国物理学院士的研究领域呈现出,物理学科中交叉性较强的研究领域具有极大的发展潜力,应用性较强的研究领域产业化趋势明显,当代物理学的发展与科研实验设施的关系越发紧密等趋势特征;中国物理学院士的代际演化呈现出,新中国成立初期国家需求导向下的相关物理学科迅猛发展,20世纪80年代以来物理学院士研究兴趣与国家政策支持相得益彰,21世纪以来物理学院士个体对从事学科发展的主导作用越来越大等趋势特征。第四部分(第十一章)通过分析中国物理学院士群体的计量特征得出中国物理学院士的成长路径。宏观层面,社会时代发展大背景的影响一直存在,国家发展战略需求导向要素有所减弱,国家科技管理制度的要素影响有所增强,中国传统文化对物理学院士成长潜移默化的影响;中观层面,物理学学科前沿发展需求的导向要素显着增强,空间结构“集聚性”的影响逐渐在减弱,师承关系的影响主要体现于学科延承方面;微观层面,性别差异对物理学家社会分层的影响很弱,年龄要素对物理学院士成长具有一定的影响,个人研究兴趣对物理学院士的成长影响增强;可见中国物理学院士受社会时代背景、中国传统文化的影响一直存在,受国家发展战略需求的导向影响有所减弱,而受物理学学科前沿发展和物理学家个人研究兴趣的导向逐渐增强,进而得出中国物理学院士的社会分层总体符合科学“普遍主义”原则的结论。最后,在中国物理学院士的群体发展展望中,提出须优化中国物理学院士年龄结构和培养跨学科物理科技人才,辩证看待中国物理学院士空间结构的“集聚性”和师承效应,发挥中国物理学院士的研究优势弥补研究领域的不足,增加科研经费投入和完善科技奖励机制,不断加强国家对物理学的支持力度等建议,以促进中国物理学院士群体的良性发展和推动我国从物理学大国发展为物理学强国。
王莹,叶雷[4](2015)在《2015:物联网引领芯片厂商创新》文中提出通过对部分行业有代表性的芯片和软件厂商的走访,折射了2015年及今后物联网芯片的技术和产品走势。包括从技术上,不可忽略大数据的分析/云计算。对部分芯片厂商来说,实际上更关心每个小数据的收集是否安全、可靠。另外,物联网对传感器、传感器枢纽芯片等提出了挑战,并需要良好的能量采集芯片,也需要系统更加节能。物联网的热门研发领域是可穿戴,需要芯片在性能、小型化等方面进行创新。
郭玉峰[5](2014)在《奥地利微电子公司差异化竞争战略研究》文中提出在经济复苏缓慢影响电子行业下游需求的大背景下,作为处于全球领先的集成电路.制造商奥地利微电子公司,随着其业务的进一步扩张,逐步进入亚洲半导体市场,中国市场更是重中之重,在这种趋势下,公司将遭遇日趋激烈的行业内竞争,各个国际半导体厂商也在加速融入中国市场,给奥地利微电子公司带来了巨大的威胁。奥地利微电子公司面临着怎样加强自己的竞争优势,扩大市场份额以及全面发展的问题。磁性编码器芯片产品作为奥地利微电子公司具有较强技术优势和竞争力的产品,在进入中国市场的过程中,亟需寻找到适合自身优势结合市场需求的竞争战略。在此背景下,本文首先运用企业战略理论对企业的外部环境和内部环境做出了客观的分析,找出存在的问题;其次运用SWOT方法对奥地利微电子公司关键因素进行评价,确定了公司面临的市场机会、威胁、优势和劣势,通过构建竞争战略选择模型,明礴指出企业应采取竞争战略中的差异化战略,为客户提供差异化的产品和服务。最后制定出奥地利微电子公司磁性编码器芯片产品的竞争战略方案。论文的研究结果对奥地利微电子公司提高自身的竞争优势,占领市场的领先地位有一定的实用价值。
梁志明[6](2020)在《用于植入式脑电记录的低噪声高输入阻抗模拟前端芯片的研究与设计》文中研究说明随着信息科学、微电子学、神经生理学以及医疗电子技术等诸多学科的交叉与融合,以医疗监测为目的生物电信号记录技术的研究已形成一个新的研究领域。在癫痫等脑神经疾病的手术治疗过程中,颅内电极脑电记录对癫痫病灶的精确定位有着非常重要的作用。进行颅内脑电信号无创口长时间脑电记录,提高病灶定位的精确度,可以大大降低术后感染的风险和降低手术治疗对脑组织的损伤,对现有的临床工作有非常大的意义。因此,植入式多通道脑电记录系统的研制在癫痫诊疗应用中有着非常迫切的需求。脑电信号幅度小、源阻抗高,实现高频神经放电脉冲的捕捉,对脑电信号记录模拟前端芯片的低噪声以及高输入阻抗范围的宽带化设计提出了更高的要求。另外,通过记录电极所引入的直流失调、工频等干扰会严重影响脑电信号的记录质量,对模拟前端芯片的信号调理能力带来了较大的挑战。本文从医疗诊断应用出发介绍了脑电信号的产生机理及其电特性,分析了脑电信号的电极传感模型以及影响脑电信号完整性的干扰因素,重点研究脑电信号调理模拟前端芯片低噪声、低功耗、高输入阻抗以及抗干扰技术,实现脑电信号记录模拟前端芯片整体性能的有效提高。为了深入了解电路中各功能模块以及元件参数和模拟前端斩波放大器各性能指标的关系,指导芯片设计过程的参数选择范围及调整方向,基于谐波传递矩阵(HTM)分析方法,分析两级闭环斩波放大器的系统传递特性,得到两级闭环斩波放大器的频率补偿方法,并在两级闭环斩波放大器参数设计的经验基础上,定量分析补偿特性。提出了一种全集成的新型低噪声、低功耗、高输入阻抗的前端电路架构,由低噪声高输入阻抗斩波仪表放大器、低通滤波器、可编程增益放大器以及通道选择开关等组成。其中,为了满足高输入阻抗范围宽带化的应用需求,提出了一种三OTA两级闭环斩波仪表放大器结构,使前端放大器具有较高的原始输入阻抗,在此基础上引入负阻抗补偿阻抗提升电路,使放大器的输入阻抗达到了较高的水平,并且具有高输入阻抗宽带化的效果;针对脑电记录过程中共模干扰抑制的高性能要求,设计了共模反馈(CMFB)环路,使放大器具有较高的共模抑制比(CMRR)以及输入共模摆幅容忍度;为抑制记录电极极化所产生的直流失调,设计了直流伺服环路(DSL),在直流伺服环路中设计了一种新型的4阶段开关电容积分器,使用小容量片上电容实现了较大的积分时间常数,从而使斩波仪表放大器的高通截止频率延伸到了1Hz以下,并在积分OTA上采用全差分斩波放大结构抑制环路闪烁噪声;在闭环斩波结构的线性放大级中引入了微分型反馈环路,同时实现斩波仪表放大器的频率补偿以及纹波抑制。基于0.18μm CMOS工艺,针对设计的模拟前端芯片进行了两次流片验证。第一次芯片结构是三OTA两级闭环斩波仪表放大器的24通道模拟前端;第二次流片在第一次流片的基础上,为了进一步提高模拟前端芯片的输入阻抗,引入了负阻抗补偿阻抗提升技术。芯片测试结果显示,未引入负阻抗补偿前斩波放大器本身具有280MΩ的较高输入阻抗,引入补偿后提升到了5.7GΩ,并且在100Hz频率处仍然可以达到4.6GΩ,1GΩ输入阻抗的信号带宽为300Hz,达到或超过目前文献报道的最高水平。该放大器结构具有较好的共模及电源抑制特性,在50Hz交流工频处CMRR为98d B,PSRR为83d B。最大输入共模电压容忍度≥320m Vpp,最大输入直流失调容忍范围大于±150m V。模拟前端的-3d B带宽为0.6Hz-5.4k Hz,增益从39.8-52.9d B可编程,中频带等效输入噪声谱密度为125n V/rt Hz,在0.5Hz-1k Hz积分带宽内的等效输入噪声为4.1μVrms。所实现的脑电信号记录模拟前端的单通道功耗为1.8μW,所得到的噪声效率因子为5.3,电路各项指标均满足设计要求,通过可编程放大器增益的配置,可以满足不同电极以及植入部位的应用需求。为了验证所设计芯片在生物电信号记录方面的性能,在没有使用右腿驱动电路的情况下,基于三电极导联法进行了心电放大测试,通过示波器,在带限设置下测量所设计前端芯片的输出波形,得到较为清晰的心跳脉冲节律。进一步证明了本文所设计模拟前端电路在输入阻抗以及共模抑制特性方面的良好性能,为后期植入动物试验打下了良好的基础。
教育部[7](2020)在《教育部关于印发普通高中课程方案和语文等学科课程标准(2017年版2020年修订)的通知》文中研究说明教材[2020]3号各省、自治区、直辖市教育厅(教委),新疆生产建设兵团教育局:为深入贯彻党的十九届四中全会精神和全国教育大会精神,落实立德树人根本任务,完善中小学课程体系,我部组织对普通高中课程方案和语文等学科课程标准(2017年版)进行了修订。普通高中课程方案以及思想政治、语文、
朱佳鑫[8](2020)在《桥梁变形监测中基于MEMS加速度倾角传感器的设计与研究》文中提出在全世界范围内时常发生由桥梁结构老化和损坏引起的坍塌事故。结构健康监测是一项有效的监测技术,它能够很大程度地降低桥梁倒塌事故带来的伤害甚至避免许多不必要的桥梁事故发生。桥梁变形监测是桥梁结构健康监测中的重要内容,因为桥梁的变形不仅反映了桥梁结构的刚度、承载能力和整体性等结构安全特性,还与行人和行车的舒适性等运营性能紧密相关。由于成功的监测工作都是建立在传感器准确地感应和传输数据信号的基础上,因此许多研究人员尝试在监测工作中应用由MEMS(Micro-ElectroMechanical-System,又称微电子机械系统)技术制造而成的具有低成本、小尺寸、高耐用性、低功耗和易于安装等优点的MEMS加速度计。为了探索MEMS加速度计在结构变形监测工作中的应用前景,本文对基于MEMS加速度计的倾角传感器(文中称为MEMS加速度倾角传感器)的变形监测工作进行研究,主要工作及成果如下:(1)论述了桥梁结构健康监测的意义与必要性,阐述了监测传感器在桥梁结构健康监测中的发展与应用。详细讨论并分析了桥梁变形监测的8种常用方法并对比论述了倾角法的特点与优势。对结构健康监测工作中MEMS加速度传感器的开发研究进行了介绍,总结了MEMS加速度传感器误差校准方法的研究现状。(2)具体介绍了3种常用的加速度传感器的工作原理并总结了一个加速度传感器选型方法。介绍了基于MEMS加速度倾角传感器的倾角变形监测方法及其理论和应用力学理论法或函数插值法求解倾角变形与其他变形之间的转换关系式的方法。在基于MEMS加速度倾角传感器和倾角法的动态变形监测工作的研究中,本研究阐述了动态变形监测结果的误差来源并提出了一种与传统的信号滤波处理方法不相同的算法来减少附加加速度的误差效应。(3)对MEMS加速度倾角传感器的开发工具进行了介绍,详细阐述了基于ADXL355 MEMS加速度计的倾角传感器的四大模块(加速度传感模块、无线传感模块、微处理器模块和能量供应模块)的硬件设计工作。完成了基于ADXL355 MEMS加速度计的倾角传感器的原理图设计并利用了Altium Designer开发设计平台完成了对应的印刷电路板设计。(4)对MEMS加速度倾角传感器的误差来源进行了详细分析并提出了一项改进的校准技术。在这项技术中,构建了一个单参数的数学模型用以直接校准相对倾角并设计了一种基于图像处理技术的方法来获取数学模型里的关键校准参数,令该校准技术能在现场测试中操作。与传统的六参数校准方法相比较,改进的校准技术具有以下优点:该技术易于实施,仅需要求解一个校准参数但却不影响校准结果的精度;校准设置简单,并且不涉及复杂的仪器。(5)进行了3个试验来实现以下目的:评估改进的校准技术的可行性;评估本研究设计的MEMS加速度倾角传感器和改进的校准技术的变形监测效果;测试本研究提出的基于MEMS加速度倾角传感器的动态倾角监测算法的可行性。试验表明:本研究所提出的改进的校准技术能显着降低倾角监测值中的比例误差效应;当本文设计的MEMS加速度倾角传感器与改进的校准技术配套使用时,其工作性能可以满足工程要求;本研究提出的基于MEMS加速度倾角传感器的动态倾角监测算法能够有效地减少附加加速度对倾角监测值产生的误差效应。
杜俊[9](2019)在《准入机制作用下的航天元器件市场竞争博弈与策略选择》文中提出航天产业是国家的战略性核心产业,航天用电子元器件的国产化是实现我国航天产业自主可控的关键所在。系统地研究市场准入机制作用下的航天元器件市场结构、竞争博弈以及企业策略,对于促进我国航天元器件产业健康发展、实现航天产品自主可控具有重要的意义。本论文采用规范研究与实证研究相结合、定性分析与定量分析相结合、文献分析与博弈分析相结合的方法,在深入剖析我国航天元器件市场准入本质的基础上,对市场准入机制作用下的航天元器件市场结构、竞争博弈以及企业策略进行了系统的研究。论文的主要内容和创新点可以归纳为以下几个方面:首先,厘清了航天元器件市场准入的概念和内涵,揭示了航天元器件市场准入的非市场环境因素本质,并通过实证研究论证了准入机制对航天元器件市场绩效具有重要的影响。论文通过规范研究提出航天元器件市场准入是为了克服航天元器件市场机制失灵的问题,通过对需求方和供应方进行干预并管制,以此来达到对市场进行调节的目的,其本质上是航天元器件企业赖以生存和发展的一种非市场环境因素。通过基于多水平结构方程模型的实证研究,论文提出航天元器件市场准入机制分别从市场和非市场两条路径影响企业的模型,前者促成了航天元器件市场供需机制、价格机制、竞争机制的重建,后者则赋予元器件企业在航天市场生存和发展所必不可少的“合法性”。其次,提出了测量航天元器件市场集中度的准入集中度模型,判定航天元器件市场属于寡头垄断结构,并根据其市场结构的特点和发展趋势提出存在的主要竞争问题。针对常规测量基数在航天元器件市场集中度测算方面的不足,论文提出基于优选目录产品品种和专业的准入集中度模型,为市场集中度的测量提供了新的解决方案。通过基于市场集中度、产品差异化、进入壁垒的定量和定性分析,研究得出航天元器件市场总体上属于寡头垄断结构的结论。通过分析航天元器件市场结构的特点和发展趋势,研究指出该市场主要存在两类竞争问题:其一是国产产品与进口产品的竞争,其二是国产产品之间的竞争。再次,揭示了国产化替代命题隐含的市场条件和非市场条件,并在博弈分析和案例分析的基础上提出了应对国产化替代困难以及国产化初期主要矛盾的企业策略。研究指出:国产厂商应该主动采取非市场策略来有效推动其产品的国产化替代,而非仅仅依赖传统的市场策略;国产厂商适宜采用“撇脂定价”与“二级价格歧视”相结合的策略来缓解国产化初期供需双方的价格矛盾。最后,创新地构建了时间化学习曲线和转换成本效应的市场进入博弈模型、向下兼容的航天元器件纵向差异化博弈模型、基于交付进度的航天元器件横向差异化博弈模型,以及将有限次和无限次重复博弈理论应用于无底价议价竞标博弈。在综合运用博弈分析和案例分析的基础上,本论文提出了具体的结合了企业自身条件和竞争对手条件的航天元器件市场进入策略、避免恶性价格竞争的定价策略以及产品系列化策略、互补品策略、货架式生产策略等航天元器件差异化的可行措施。
王媛媛[10](2019)在《智能制造发展的国际比较与中国抉择》文中指出当前移动互联网、大数据、云计算、人工智能等新一代信息技术蓬勃发展,并加速向制造业渗透,制造业领域将迎来一场智能化革命,进而引发新一轮的工业革命。美欧等发达国家和地区纷纷出台应对新工业革命和智能制造的发展战略。我国也迎来新工业革命和转变经济发展方式的历史交汇期,由此提出以智能制造作为主攻方向,推动产业技术变革和优化升级,进而建设制造强国的发展目标。因此,研究智能制造这一主导新工业革命发展的新型制造模式具有重要意义。本文以智能制造作为研究对象,以马克思技术进步及资本有机构成理论、熊彼特和新熊彼特学派技术创新及演化经济学等理论为研究基础,运用系统分析、实证分析、比较分析以及实地调查等研究方法,对智能制造进行全面而深入的研究。主要研究内容包括:一是,探索智能制造发展演化的机理及其技术-经济范式。对智能制造的内涵、产生动力、生产组织模式创新以及技术-经济范式进行分析;二是,对智能制造发展的关键基础性产业——集成电路、智能传感器、高档数控机床、工业机器人以及软件和信息技术服务业的全球发展态势进行比较分析;三是,对G20国家智能制造发展水平进行实证分析。在投入产出分析方法基础上,建立“制造业智能化指数”衡量智能制造发展水平,并进行国别和分行业的比较分析;四是,对美国、德国、日本智能制造发展的典型模式进行分析、比较,并得出有益的经验借鉴。首先对其智能制造赖以发展的国家创新体系和创新政策演变进行分析,其次对其推动智能制造发展的具体政策措施进行深入研究,再次对这三个国家智能制造的发展模式进行比较,分析异同点,并得出可供我国借鉴的有益经验;五是,分析我国智能制造发展的现状。从顶层设计、标准体系建设、基础产业发展、企业以及地方政府推动等方面分析我国智能制造发展取得的进展和成就,同时剖析了中国智能制造在发展基础、创新能力、推进机制、企业主体引领、政策规划以及人才等方面存在的问题,明确努力的方向;六是,提出我国智能制造发展的创新路径和对策。即要以建设制造强国为目标的智能制造发展导向;建设政府引领、产业界主导、研究机构和大学紧密合作的智能制造创新网络;要涵盖重要战略性新兴产业的智能制造发展领域;以及实施面向不同发展优势和水平的差异化发展战略。总之,发展智能制造是我国实现技术跃升及经济实力赶超的重要契机,应密切关注和研究新工业革命发展趋势以及智能制造技术-经济范式发展演化特征,把握各国智能制造发展的态势、能力水平以及具体的推进战略,同时深入了解我国智能制造发展的优劣势,构建与我国经济社会发展相适应的智能制造发展路径和政策体系,抓住机遇加快发展,早日实现制造强国的目标和国家实力的历史性跨越。
二、奥地利微电子推出可编程能量测量集成电路(论文开题报告)
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、奥地利微电子推出可编程能量测量集成电路(论文提纲范文)
(1)战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角(论文提纲范文)
答辩决议书 |
摘要 |
abstract |
第1章 绪论 |
1.1 选题背景及研究意义 |
1.1.1 选题背景 |
1.1.2 研究意义 |
1.2 文献综述 |
1.2.1 国内研究现状 |
1.2.2 国外研究现状 |
1.2.3 国内外研究述评 |
1.3 研究框架与研究方法 |
1.3.1 研究框架 |
1.3.2 研究方法 |
1.4 研究中的创新与不足 |
第2章 科技革命推动产业升级的一般分析 |
2.1 科技革命的概念与研究范围界定 |
2.1.1 科技革命的概念 |
2.1.2 战后科技革命研究范围的界定 |
2.2 科技革命推动下产业升级的内涵及研究范围界定 |
2.2.1 科技革命推动下产业升级的内涵 |
2.2.2 科技革命推动产业升级的研究范围界定 |
2.3 科技革命推动产业升级的理论基础 |
2.3.1 熊彼特创新理论 |
2.3.2 技术经济范式理论 |
2.3.3 产业技术范式理论 |
2.4 本章小结 |
第3章 科技革命推动产业升级:基于创新体系视角的分析框架 |
3.1 科技革命推动产业升级的机理 |
3.1.1 科技革命推动产业升级的经济本质:技术经济范式转换 |
3.1.2 科技革命推动产业升级的传导机制:“催新”与“改旧” |
3.2 创新体系相关理论 |
3.2.1 国家创新体系理论 |
3.2.2 部门创新体系理论 |
3.3 以创新体系为切入点的分析视角 |
3.3.1 国家创新体系与技术经济范式匹配性分析视角 |
3.3.2 部门创新体系与产业技术范式匹配性分析视角 |
3.4 本章小结 |
第4章 战后科技革命推动日本产业升级的历程与背景 |
4.1 科技革命推动日本产业升级的历程 |
4.1.1 战前科技革命成果推动下日本产业的“重化型”化(20世纪50-60年代) |
4.1.2 战后科技革命推动下日本产业的“轻薄短小”化(20世纪70-80年代) |
4.1.3 战后科技革命推动下日本产业的“信息”化(20世纪90年代后) |
4.2 战后科技革命推动日本产业升级的背景 |
4.2.1 重化型产业结构的局限性日渐凸显 |
4.2.2 世界性科技革命的爆发为日本提供了机遇 |
4.2.3 日本经济的高速增长奠定了经济基础 |
4.2.4 日本的“引进消化吸收再创新”战略奠定了技术基础 |
4.3 本章小结 |
第5章 战后科技革命推动日本产业升级:基于国家创新体系的分析 |
5.1 技术经济范式转换的载体:日本国家创新体系 |
5.2 科技革命推动日本产业升级中政府支持创新的行为 |
5.2.1 传递最新科技情报并辅助企业引进技术 |
5.2.2 适时调整科技发展战略和产业结构发展方向 |
5.2.3 制定激励企业研发的经济政策和专利保护制度 |
5.2.4 采取措施加速新技术产业化的进程 |
5.2.5 改革教育体制并强化人才引进制度 |
5.3 科技革命推动日本产业升级中企业的创新行为 |
5.3.1 注重提升自主创新能力 |
5.3.2 遵循技术创新的“现场优先主义”原则 |
5.3.3 实行考虑市场因素的“商品研制、推销一贯制” |
5.3.4 将资金集中投向开发研究和创新链的中下游环节 |
5.3.5 重视对在职人员的科技教育和技术培训 |
5.4 科技革命推动日本产业升级中大学和科研机构的创新行为 |
5.4.1 从事与产业技术密切相关的基础和应用研究 |
5.4.2 重视通识教育和“强固山脚”教育 |
5.4.3 培养了大量的理工类高科技人才 |
5.5 科技革命推动日本产业升级中的创新主体联盟 |
5.5.1 产学官联合攻关尖端技术 |
5.5.2 建立能够促进科技成果转化的中介机构 |
5.5.3 联合培养和引进优秀人才 |
5.6 日本国家创新体系与技术经济范式的匹配性评析 |
5.6.1 日本国家创新体系与微电子技术经济范式相匹配 |
5.6.2 “追赶型”国家创新体系与“应用开发型”技术经济范式相匹配 |
5.7 本章小结 |
第6章 战后科技革命催生日本主要新兴产业:基于部门创新体系的分析 |
6.1 新兴产业技术范式的形成与日本部门创新体系 |
6.2 微电子技术催生下日本半导体产业的兴起和发展 |
6.2.1 微电子技术产业化中政府支持创新的行为 |
6.2.2 微电子技术产业化中企业的创新行为 |
6.2.3 微电子技术产业化中科研机构的创新行为 |
6.2.4 微电子技术产业化中的创新主体联盟 |
6.2.5 微电子技术产业化中的需求因素 |
6.3 计算机技术催生下日本计算机产业的兴起与发展 |
6.3.1 计算机技术产业化中政府支持创新的行为 |
6.3.2 计算机技术产业化中企业的创新行为 |
6.3.3 计算机技术产业化中的创新主体联盟 |
6.3.4 计算机技术产业化中的需求因素 |
6.4 日本部门创新体系与新兴产业技术范式形成的匹配性评析 |
6.4.1 部门创新体系与半导体产业技术范式形成相匹配 |
6.4.2 部门创新体系与计算机产业技术范式形成相匹配 |
6.4.3 部门创新体系与新兴产业技术范式形成相匹配 |
6.5 本章小结 |
第7章 战后科技革命改造日本主要传统产业:基于部门创新体系的分析 |
7.1 科技革命改造传统产业的本质:传统产业技术范式变革 |
7.2 微电子技术改造下日本工业机器自动化的发展 |
7.2.1 工业机器自动化中政府支持创新的行为 |
7.2.2 工业机器自动化中企业的创新行为 |
7.2.3 工业机器自动化中的创新主体联盟 |
7.2.4 工业机器自动化中的需求因素 |
7.3 微电子技术改造下日本汽车电子化的发展 |
7.3.1 汽车电子化中政府支持创新的行为 |
7.3.2 汽车电子化中企业的创新行为 |
7.3.3 汽车电子化中的创新主体联盟 |
7.3.4 汽车电子化中的需求因素 |
7.4 日本部门创新体系与传统产业技术范式变革的匹配性评析 |
7.4.1 部门创新体系与工业机器产业技术范式变革相匹配 |
7.4.2 部门创新体系与汽车产业技术范式变革相匹配 |
7.4.3 部门创新体系与传统产业技术范式变革相匹配 |
7.5 本章小结 |
第8章 创新体系视角下战后科技革命推动日本产业升级的经验与教训 |
8.1 战后科技革命推动日本产业升级的经验 |
8.1.1 构建了与微电子技术经济范式相匹配的国家创新体系 |
8.1.2 重视创新体系的层级性和差异性建设 |
8.1.3 加速推进新兴产业技术范式的形成 |
8.1.4 借力科技革命的“双重性质”推动新旧产业协调发展 |
8.2 战后科技革命推动日本产业升级的教训 |
8.2.1 创新体系的基础研究能力不足 |
8.2.2 创新体系不利于颠覆性技术创新的产生 |
8.2.3 政府主导下的大型研发项目模式存在定向失误的弊端 |
8.3 本章小结 |
第9章 创新体系视角下战后科技革命推动日本产业升级对我国的启示 |
9.1 新一轮科技革命给我国产业升级带来的机遇 |
9.1.1 为我国产业升级提供“机会窗口” |
9.1.2 为我国新兴产业“追跑”“齐跑”与“领跑”的并行发展提供机遇 |
9.1.3 为我国传统制造业的高质量发展创造了机会 |
9.2 构建与新一轮科技革命推动产业升级相匹配的创新体系 |
9.2.1 构建国家创新生态体系 |
9.2.2 重视部门创新体系的“产业间差异性” |
9.2.3 形成与新兴产业技术范式相匹配的部门创新体系 |
9.2.4 建设能够促进传统产业技术范式演化升级的部门创新体系 |
9.3 本章小结 |
结论 |
参考文献 |
攻读博士学位期间的科研成果 |
致谢 |
(2)自加热双惠斯通电桥MEMS风速风向传感器研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第一章 绪论 |
1.1 MEMS风速风向传感器 |
1.1.1 微电子机械系统(MEMS)概述 |
1.1.2 微电子机械系统(MEMS)的技术特征 |
1.1.3 MEMS风速风向传感器 |
1.2 热式风速风向传感器芯片研究进展 |
1.2.1 热线式风速风向传感器 |
1.2.2 热温差式风速风向传感器 |
1.2.3 热脉冲式风速风向传感器 |
1.2.4 多种测温原理相结合型风速风向传感器 |
1.3 热式风速风向传感器测量与控制研究进展 |
1.3.1 恒温差(Constant Temperature Difference Mode)模式 |
1.3.2 恒温(Constant Temperature Mode)模式 |
1.3.3 恒功率(Constant Power Mode)模式 |
1.3.4 恒压(Constant Voltage Mode)模式 |
1.3.5 温度平衡(Temperature Balance Mode)模式 |
1.3.6 恒流(Constant Current Mode)模式 |
1.4 本论文的主要工作 |
1.4.1 关键问题 |
1.4.2 工作主要内容 |
第二章 自加热双惠斯通电桥风速风向传感器设计与制造 |
2.1 MEMS风速风向传感器理论分析 |
2.1.1 MEMS风速风向传感器的工作原理 |
2.1.2 MEMS风速风向传感器的有限元仿真验证 |
2.2 MEMS风速风向传感器的制备 |
2.2.1 传感器的制备工艺及版图 |
2.2.2 传感器的管壳封装 |
2.3 MEMS风速风向传感器检测和控制系统 |
2.3.1 控制和检测系统的设计 |
2.3.2 风洞测试系统 |
2.4 MEMS风速风向传感器的实验 |
2.4.1 元器件温度敏感特性测试 |
2.4.2 热式MEMS风速风向传感器的风速输出特性 |
2.4.3 热式MEMS风速风向传感器的风向输出特性 |
2.5 本章小结 |
第三章 自加热双惠斯通电桥风速风向传感器环境温度效应及补偿 |
3.1 环境温度补偿技术 |
3.1.1 热式风速风向传感器环境温度补偿的必要性 |
3.1.2 热式风速风向传感器环境温度补偿技术概况 |
3.2 环境温度对热式MEMS风速风向传感器性能的影响 |
3.2.1 传感器输出电压模型 |
3.2.2 传感器理论计算分析 |
3.2.3 有限元仿真结果 |
3.2.4 实验测试结果 |
3.3 传感器输出结果的环境温度补偿方法 |
3.3.1 传感器风速输出半经验公式 |
3.3.2 传感器环境温度补偿模型 |
3.3.3 传感器风速输出环境温度补偿 |
3.3.4 传感器风向输出环境温度补偿 |
3.4 本章小结 |
第四章 自加热双惠斯通电桥风速风向传感器系统组装 |
4.1 热式MEMS风速风向传感器封装与组装方案概况 |
4.1.1 MEMS传感器封装与组装技术概况 |
4.1.2 热式MEMS风速风向传感器系统封装与组装背景 |
4.2 热式风速风向传感器四周隔热岛方案 |
4.2.1 热式风速风向传感器四周隔热岛方案的设计 |
4.2.2 热式风速风向传感器四周隔热岛方案的性能的仿真验证 |
4.3 基于四周隔热岛组装方案的传感器制备 |
4.3.1 传感器热敏感芯片制备 |
4.3.2 四周隔热岛方案传感器系统组装 |
4.4 基于四周隔热岛组装方案的传感器性能 |
4.4.1 热敏电阻阻值分布及温度特性测试 |
4.4.2 软件控制算法的设计及实现 |
4.4.3 传感器风速风向性能测试 |
4.5 本章小结 |
第五章 总结与展望 |
5.1 工作总结 |
5.2 进一步研究工作展望 |
攻读博士期间发表的论文和取得的学术成果 |
致谢 |
参考文献 |
(3)中国物理学院士群体计量研究(论文提纲范文)
中文摘要 |
ABSTRACT |
绪论 |
一、文献综述 |
二、论文选题和研究内容 |
三、研究的创新与不足 |
第一章 中国物理学院士的产生与本土化 |
1.1 民国时期中国物理学院士的产生 |
1.1.1 国民政府中央研究院推选产生中国第一届物理学院士 |
1.1.2 国立北平研究院推选出与“院士”资格相当的物理学会员 |
1.2 当代中国物理学院士的本土化 |
1.2.1 中国科学院推选产生物理学学部委员 |
1.2.2 中国科学院物理学院士与中国工程院物理学院士的发展 |
1.3 其他国家和国际组织的华裔物理学院士 |
1.4 中国物理学院士名单与增选趋势分析 |
1.4.1 中国物理学院士的名单汇总 |
1.4.2 中国本土物理学院士总体增选趋势 |
第二章 中国物理学院士总体特征的计量分析 |
2.1 中国物理学院士基本情况的计量分析 |
2.1.1 女性物理学院士占比较低 |
2.1.2 院士整体老龄化问题严重 |
2.1.3 出生地域集中于东南沿海地区 |
2.2 中国物理学院士教育经历的计量分析 |
2.2.1 学士学位结构 |
2.2.2 硕士学位结构 |
2.2.3 博士学位结构 |
2.3 中国物理学院士归国工作情况的计量分析 |
2.3.1 留学物理学院士的归国年代趋势 |
2.3.2 国内工作单位的“集聚性”较强 |
2.3.3 物理学院士的国外工作单位 |
2.4 中国物理学院士从事物理学分支交叉学科的计量分析 |
2.4.1 物理学院士从事分支交叉学科的归类统计 |
2.4.2 物理学院士获得国际科技奖励的计量分析 |
2.4.3 物理学院士获得国内科技奖励的计量分析 |
第三章 中国理论物理学院士群体的计量分析 |
3.1 中国理论物理学院士基本情况的计量分析 |
3.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“51-60 岁” |
3.1.2 博士占比52.83%,地方高校理论物理教育水平有所提高 |
3.2 中国理论物理学院士研究领域的计量分析 |
3.2.1 主要分布于凝聚态理论和纯理论物理等领域 |
3.2.2 20 世纪后半叶当选的理论物理学院士内师承关系显着 |
3.3 中国理论物理学院士的发展趋势分析 |
3.3.1 理论物理学院士的增选总体呈上升趋势 |
3.3.2 理论物理学院士研究领域的发展趋势 |
3.4 小结 |
第四章 中国凝聚态物理学院士群体的计量分析 |
4.1 中国凝聚态物理学院士基本情况的计量分析 |
4.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“51—60 岁” |
4.1.2 博士占比57.83%,国外博士学位占比将近80% |
4.1.3 女性物理学院士在凝聚态物理领域崭露头角 |
4.2 中国凝聚态物理学院士研究领域的计量分析 |
4.2.1 主要分布于半导体物理学、晶体学和超导物理学等领域 |
4.2.2 凝聚态物理学的一些传统研究领域内师承关系显着 |
4.2.3 凝聚态物理学院士集聚于若干研究中心 |
4.3 中国凝聚态物理学院士的发展趋势分析 |
4.3.1 凝聚态物理学院士的增选总体呈上升趋势 |
4.3.2 凝聚态物理学院士研究领域的发展趋势 |
4.4 小结 |
第五章 中国光学院士群体的计量分析 |
5.1 中国光学院士基本情况的计量分析 |
5.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“61—70 岁” |
5.1.2 博士占比54.84%,本土培养的光学博士逐渐增多 |
5.2 中国光学院士研究领域的计量分析 |
5.2.1 研究领域集中分布于应用物理学和激光物理学 |
5.2.2 光学院士工作单位的“集聚性”较强 |
5.3 光学院士的发展趋势分析 |
5.3.1 光学院士的增选总体呈上升趋势 |
5.3.2 光学院士研究领域的发展趋势 |
5.4 小结 |
第六章 中国高能物理学院士群体的计量分析 |
6.1 中国高能物理学院士基本情况的计量分析 |
6.1.1 老龄化问题严重,当选年龄集中于“51—60 岁” |
6.1.2 博士占比53.85%,国外博士学位占比超过85% |
6.2 中国高能物理学院士研究领域的计量分析 |
6.2.1 高能物理实验与基本粒子物理学分布较均衡 |
6.2.2 高能物理学院士的工作单位集聚性与分散性并存 |
6.3 中国高能物理学院士的发展趋势分析 |
6.3.1 高能物理学院士的增选总体呈平稳趋势 |
6.3.2 高能物理学院士研究领域的发展趋势 |
6.4 小结 |
第七章 中国原子核物理学院士群体的计量分析 |
7.1 中国原子核物理学学院士基本情况的计量分析 |
7.1.1 老龄化问题严重,80 岁以下院士仅有3 人 |
7.1.2 博士占比48.84%,国外博士学位占比超过95% |
7.1.3 女性院士在原子核物理学领域的杰出贡献 |
7.2 中国原子核物理学院士研究领域的计量分析 |
7.2.1 原子核物理学院士在各研究领域的分布情况 |
7.2.2 参与“两弹”研制的院士内部师承关系显着 |
7.3 中国原子核物理学院士的发展趋势分析 |
7.3.1 原子核物理学院士的增选总体呈下降趋势 |
7.3.2 原子核物理学院士研究领域的发展趋势 |
7.4 小结 |
第八章 其他物理学分支和部分交叉学科院士群体的计量分析 |
8.1 中国天体物理学院士群体的计量分析 |
8.1.1 天体物理学院士本土培养特征明显 |
8.1.2 天体物理学院士的增选总体呈平稳上升趋势 |
8.1.3 天体物理学院士研究领域的发展趋势 |
8.2 中国生物物理学院士群体的计量分析 |
8.2.1 群体年龄较小,当选年龄集中于“41—50 岁” |
8.2.2 生物物理学院士研究领域的发展趋势 |
8.3 中国工程热物理院士群体的计量分析 |
8.3.1 工程热物理院士内部师承关系十分显着 |
8.3.2 工程热物理院士研究领域的发展趋势 |
8.4 中国地球物理学院士群体的计量分析 |
8.4.1 主要分布于固体地球物理学和空间物理学研究领域 |
8.4.2 地球物理学院士研究领域的发展趋势 |
8.5 部分分支交叉学科院士群体的计量分析 |
8.5.1 电子物理学和声学院士的增选呈下降趋势 |
8.5.2 中国物理力学由应用走向理论 |
8.5.3 中国量子信息科技呈迅速崛起之势 |
第九章 中国物理学院士计量分析的比较研究和趋势分析 |
9.1 各分支交叉学科间物理学院士基本情况的比较研究 |
9.1.1 一些新兴研究领域物理学院士年轻化趋势明显 |
9.1.2 21世纪以来本土培养的物理学院士占比一半以上 |
9.1.3 女性物理学院士在实验物理领域分布较多 |
9.2 中国物理学院士研究领域的发展趋势分析 |
9.2.1 各分支交叉学科内的横向发展趋势分析 |
9.2.2 各分支交叉学科的纵向年代发展趋势分析 |
9.3 中国物理学院士代际演化的趋势分析 |
9.3.1 第一代物理学院士初步完成了中国物理学的建制 |
9.3.2 第二代物理学院士完成了中国物理学主要分支学科的奠基 |
9.3.3 第三代物理学院士在国防科技和物理学科拓展中有着突出贡献 |
9.3.4 第四代物理学院士在推进物理学深入发展方面贡献较大 |
9.3.5 新一代物理学院士科技成果的国际影响力显着增强 |
第十章 中国物理学院士的群体结构特征和发展趋势特征 |
10.1 中国物理学院士的群体结构特征 |
10.1.1 整体老龄化问题严重,但年轻化趋向较为明显 |
10.1.2 整体学历水平较高,本土培养物理学精英的能力增强 |
10.1.3 女性物理学院士占比较低,但科技贡献突出 |
10.1.4 空间结构“集聚性”较强,但近些年“集聚性”逐渐被打破 |
10.2 中国物理学院士研究领域发展的趋势特征 |
10.2.1 物理学科中交叉性较强的研究领域具有极大的发展潜力 |
10.2.2 物理学科中应用性较强的研究领域产业化趋势明显 |
10.2.3 当代物理学的发展与科研实验设施的关系越发紧密 |
10.3 中国物理学院士代际演化的趋势特征 |
10.3.1 新中国成立初期国家需求导向下的相关物理学科迅猛发展 |
10.3.2 20世纪80 年代以来院士研究兴趣与国家支持政策相得益彰 |
10.3.3 21世纪以来院士个体对学科发展的主导作用越来越大 |
第十一章 中国物理学院士群体的成长路径 |
11.1 影响中国物理学院士成长的宏观要素 |
11.1.1 社会时代发展大背景的影响一直存在 |
11.1.2 国家发展战略需求导向要素有所减弱 |
11.1.3 国家科技管理制度的要素影响有所增强 |
11.1.4 中国传统文化对物理学院士潜移默化的影响 |
11.2 影响中国物理学院士成长的中观要素 |
11.2.1 物理学学科前沿发展需求的导向要素显着增强 |
11.2.2 空间结构“集聚性”的影响逐渐在减弱 |
11.2.3 师承关系的影响主要体现于学科延承方面 |
11.3 影响中国物理学院士成长的微观要素 |
11.3.1 性别差异对物理学家社会分层的影响很弱 |
11.3.2 年龄要素对物理学院士成长具有一定的影响 |
11.3.3 个人研究兴趣对物理学院士的成长影响增强 |
11.4 结语与展望 |
附录 |
参考文献 |
攻读学位期间取得的研究成果 |
致谢 |
个人简况及联系方式 |
(5)奥地利微电子公司差异化竞争战略研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第1章 绪论 |
1.1 论文的研究背景 |
1.2 论文研究的目的和意义 |
1.3 论文的主要研究内容和方法 |
1.4 论文的研究框架和思路 |
第2章 理论基础与文献综述 |
2.1 战略管理理论概况 |
2.1.1 PEST分析工具 |
2.1.2 SWOT分析工具 |
2.2 五力分析模型 |
2.3 行业价值链分析工具 |
2.4 三种竞争战略的选择 |
2.5 差异化竞争战略理论 |
第3章 奥地利微电子公司竞争战略环境分析 |
3.1 宏观环境分析 |
3.1.1 政治因素 |
3.1.2 经济因素 |
3.1.3 社会因素 |
3.1.4 技术因素 |
3.1.5 环境因素 |
3.1.6 法律因素 |
3.2 产业环境分析 |
3.2.1 半导体行业基本特征分析 |
3.2.2 半导体行业的价值链分析 |
3.2.3 磁性编码器芯片市场五力分析 |
3.3 公司资源、能力与竞争优势分析 |
3.3.1 公司资源与能力分析 |
3.3.2 公司核心竞争力分析 |
第4章 奥地利微电子公司差异化竞争战略的选择及影响因素 |
4.1 奥地利微电子公司概述 |
4.2 奥地利微电子公司磁性编码器芯片简介 |
4.3 SWOT分析 |
4.3.1 机会(Opportunities)和威胁(Threats)分析 |
4.3.2 优势(Strengths)与劣势(Weaknesses)分析 |
4.4 可选择的竞争战略 |
4.4.1 成本领先战略 |
4.4.2 差异化战略 |
4.4.3 聚焦战略 |
4.5 差异化竞争战略的确定 |
4.5.1 产品差异化 |
4.5.2 生产工艺差异化 |
4.5.3 营销差异化 |
4.6 小结 |
第5章 奥地利微电子公司差异化竞争战略的实施 |
5.1 加强面向中国市场的产品研发和创新 |
5.1.1 面向中国市场加强组织资源 |
5.1.2 依托行业协会、高校和研究机构创新 |
5.2 客户管理 |
5.2.1 主要客户的关系管理 |
5.2.2 客户购买方式的改变 |
5.3 合作伙伴的选择和管理 |
5.3.1 下游合作伙伴的选择 |
5.3.2 分销商的选择和管理 |
5.4 提升服务水平 |
5.4.1 加强团队的市场需求的识别 |
5.4.2 加强产品营销过程中的跟踪服务 |
5.4.3 加强和客户的技术交流 |
第6章 结束语和展望 |
6.1 本研究的主要结论 |
6.2 研究不足及未来研究的展望 |
参考文献 |
致谢 |
附件 |
(6)用于植入式脑电记录的低噪声高输入阻抗模拟前端芯片的研究与设计(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第一章 绪论 |
1.1 研究背景和意义 |
1.2 国内外技术研究现状 |
1.2.1 国外研究技术现状 |
1.2.2 国内研究技术现状 |
1.3 论文的研究内容及关键技术方法 |
1.4 论文的组织结构 |
1.5 本章小结 |
第二章 脑电传感理论及调理方案分析 |
2.1 脑电信号特征 |
2.1.1 脑电信号的产生 |
2.1.2 脑电信号的电特性 |
2.1.3 脑电信号的医疗诊断应用 |
2.2 记录电极传感特性分析 |
2.2.1 记录电极传感模型 |
2.2.2 记录电极信号传感特性 |
2.2.3 脑电传感信号完整性分析 |
2.3 植入式多通道脑电信号记录系统 |
2.4 脑电信号记录前端电路指标要求 |
2.4.1 脑电信号调理方案 |
2.4.2 脑电信号记录模拟前端电路指标要求 |
2.5 本章小结 |
第三章 植入式脑电信号记录前端电路设计关键技术 |
3.1 全集成模拟前端电路架构 |
3.2 前端电路关键电路模块分析 |
3.2.1 低噪声低功耗仪表放大器 |
3.2.2 低通滤波器 |
3.2.3 可编程增益放大器 |
3.3 斩波放大器的系统分析方法 |
3.3.1 HTM模型理论 |
3.3.2 斩波器的HTM模型 |
3.3.3 开环斩波系统的HTM模型 |
3.3.4 两级闭环斩波放大器HTM模型分析 |
3.4 本章小结 |
第四章 脑电信号记录前端电路系统芯片研究与设计 |
4.1 模拟前端电路架构 |
4.2 斩波仪表放大器 |
4.2.1 斩波仪表放大器主要放大电路分析 |
4.2.2 直流伺服环路 |
4.2.3 频率补偿及纹波抑制 |
4.2.4 阻抗提升电路设计与分析 |
4.3 低通滤波器 |
4.4 可编程增益放大器 |
4.5 多通道选择开关 |
4.6 本章小结 |
第五章 模拟前端芯片版图设计及测试分析 |
5.1 24通道模拟前端芯片版图设计及测试分析 |
5.2 负阻抗补偿模拟前端芯片版图设计及测试分析 |
5.3 本章小结 |
第六章 总结与展望 |
6.1 工作总结 |
6.2 未来工作展望 |
参考文献 |
攻读博士学位期间取得的研究成果 |
致谢 |
附件 |
(8)桥梁变形监测中基于MEMS加速度倾角传感器的设计与研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第一章 绪论 |
1.1 课题背景及意义 |
1.2 桥梁变形监测 |
1.3 MEMS加速度计概述 |
1.3.1 MEMS加速度计开发研究现状 |
1.3.2 MEMS加速度倾角传感器的误差校准研究现状 |
1.4 本研究内容 |
第二章 基于倾角法的桥梁变形监测理论研究 |
2.1 加速度计的工作原理与选型方法 |
2.1.1 工作原理 |
2.1.2 选型方法 |
2.2 基于MEMS加速度倾角传感器的倾角变形监测方法 |
2.2.1 静态变形监测 |
2.2.2 动态变形监测 |
2.3 本章小结 |
第三章 MEMS加速度倾角传感器设计 |
3.1 开发工具 |
3.2 加速度传感模块 |
3.3 无线传感模块 |
3.4 微处理器模块 |
3.5 能量供应模块 |
3.6 印刷电路板设计 |
3.7 客户端软件设计 |
3.7.1 软件功能分析 |
3.7.2 软件开发环境 |
3.7.3 软件设计与实现 |
3.8 本章小结 |
第四章 MEMS加速度倾角传感器校准技术研究 |
4.1 误差分析 |
4.2 单参数校准模型 |
4.3 基于图像处理技术的参数获取方法 |
4.4 测量不确定度 |
4.5 本章小结 |
第五章 试验与分析 |
5.1 单参数校准技术试验 |
5.1.1 试验材料与设备 |
5.1.2 试验方案 |
5.1.3 试验结果与讨论 |
5.2 MEMS加速度倾角传感器性能试验 |
5.2.1 试验方案 |
5.2.2 试验结果与讨论 |
5.3 动态倾角监测算法试验 |
5.3.1 试验方案 |
5.3.2 试验结果与讨论 |
5.4 本章小结 |
第六章 结论与展望 |
6.1 本文工作总结 |
6.1.1 主要工作 |
6.1.2 主要创新点 |
6.1.3 主要结论 |
6.2 后续研究展望 |
参考文献 |
致谢 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
附件 |
(9)准入机制作用下的航天元器件市场竞争博弈与策略选择(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第一章 绪论 |
1.1 选题背景与研究意义 |
1.1.1 航天元器件是航天强国的基础和自主可控的关键 |
1.1.2 国产航天元器件产业迎来历史性机遇 |
1.1.3 国产元器件面临的挑战与需要研究的问题 |
1.2 国内外研究现状 |
1.2.1 与航天元器件竞争及策略相关的主要理论及相关的研究成果 |
1.2.2 与航天元器件市场准入相关的研究成果 |
1.2.3 国内外研究现状对本论文的借鉴作用与存在的问题 |
1.3 本论文主要研究工作 |
1.3.1 研究内容与论文结构 |
1.3.2 创新点 |
第二章 航天产品及其元器件市场分析 |
2.1 航天产品的特点及其市场的特性 |
2.1.1 航天产品的属性和产业特点 |
2.1.2 航天产业市场结构的特性 |
2.1.3 航天产业市场运行机制的特性 |
2.2 航天元器件的特点及其市场的特性 |
2.2.1 航天元器件的配套地位和产业特点 |
2.2.2 航天元器件市场的基本特性 |
2.2.3 航天元器件市场发展及运行的现状 |
2.3 小结 |
第三章 航天元器件市场准入的本质及其与市场绩效的关系 |
3.1 航天元器件市场准入的本质 |
3.1.1 航天元器件市场准入的概念 |
3.1.2 航天元器件市场准入的内涵 |
3.2 航天元器件市场准入影响企业市场绩效的实证研究 |
3.2.1 准入机制影响航天元器件销量的机理分析 |
3.2.2 准入机制影响航天元器件销量的研究假设 |
3.2.3 准入机制影响航天元器件销量的结构方程模型 |
3.2.4 航天元器件市场准入影响销量的实证结果分析 |
3.3 准入机制与航天元器件市场绩效的关系 |
3.4 小结 |
第四章 准入机制作用下的航天元器件市场结构及其竞争问题 |
4.1 市场结构分类及其经济学特征 |
4.2 航天元器件市场集中度 |
4.2.1 航天元器件市场集中度测量指标的选取 |
4.2.2 航天元器件市场集中度测算基数的选择 |
4.2.3 航天元器件准入集中度模型的构建 |
4.2.4 基于准入集中度模型的航天元器件市场集中度测量 |
4.3 航天元器件市场结构 |
4.3.1 基于集中度的航天元器件市场结构分析 |
4.3.2 基于产品差异化的航天元器件市场结构分析 |
4.3.3 基于进入壁垒的航天元器件市场结构分析 |
4.4 航天元器件市场结构特点的演化及其引发的竞争问题 |
4.4.1 航天元器件市场结构的特点和发展趋势 |
4.4.2 航天元器件市场结构特点的演化对竞争形态的影响 |
4.4.3 国产航天元器件厂商面临的竞争问题 |
4.5 小结 |
第五章 航天元器件国产化替代的竞争博弈与策略选择 |
5.1 国产化替代命题的隐含条件 |
5.2 航天元器件国产化替代的竞争博弈与企业对策 |
5.2.1 基于隐含市场条件博弈模型的市场策略有效性分析 |
5.2.2 基于隐含非市场条件博弈模型的非市场策略有效性分析 |
5.2.3 基于案例研究的国产化替代策略有效性分析 |
5.2.4 应对国产化替代困难的企业策略 |
5.3 航天元器件国产化替代初期的主要矛盾与企业对策 |
5.3.1 市场条件作用下的国产化替代价格形成机制分析 |
5.3.2 强制性制度因素加持下的国产化替代价格形成机制分析 |
5.3.3 应对国产化替代初期主要矛盾的策略 |
5.4 小结 |
第六章 国产航天元器件厂商之间的竞争博弈与策略选择 |
6.1 国产航天元器件的市场进入博弈及其对策 |
6.1.1 基于文献研究的航天元器件市场进入策略分析 |
6.1.2 关键市场因素对航天元器件市场进入策略的影响 |
6.1.3 基于多因素博弈模型的航天元器件市场进入策略分析 |
6.1.4 国产航天元器件企业的市场进入策略 |
6.2 国产航天元器件的价格竞争及其对策 |
6.2.1 国产航天元器件价格竞争必然性的分析 |
6.2.2 基于博弈模型的国产航天元器件价格竞争策略分析 |
6.2.3 国产航天元器件企业避免恶性价格竞争的策略 |
6.3 国产航天元器件的非价格竞争及其对策 |
6.3.1 产品差异化竞争理论与经典模型 |
6.3.2 基于博弈模型的航天元器件产品差异化可行性分析 |
6.3.3 基于案例研究的航天元器件产品差异化可行性分析 |
6.3.4 国产航天元器件企业的产品差异化策略 |
6.4 小结 |
第七章 结论与展望 |
致谢 |
参考文献 |
作者在学期间取得的学术成果 |
附录 准入机制影响航天元器件销量实证研究的原始数据 |
(10)智能制造发展的国际比较与中国抉择(论文提纲范文)
中文摘要 |
Abstract |
绪论 |
第一节 研究背景、问题及意义 |
一、研究背景 |
二、问题的提出 |
三、研究意义 |
第二节 智能制造研究综述 |
一、国外相关研究 |
二、国内相关研究 |
三、文献评述 |
第三节 研究内容、思路及方法 |
一、研究内容 |
二、研究思路 |
三、研究方法 |
第四节 主要创新点 |
第一章 研究智能制造发展的理论基础 |
第一节 马克思技术进步理论及资本有机构成理论 |
一、技术进步和机器大工业生产理论 |
二、资本有机构成理论 |
第二节 西方经济学相关理论 |
一、熊彼特创新及经济周期理论 |
二、弗里曼工业创新及演化经济学理论 |
三、佩雷斯技术-经济范式及技术革命周期演化理论 |
四、其他新熊彼特学派学者的创新和演化经济学理论 |
第二章 智能制造发展演化的机理及其技术-经济范式 |
第一节 智能制造的定义及内涵界定 |
一、有关智能制造的定义概述 |
二、本文对于智能制造概念的界定 |
第二节 智能制造产生的动力分析 |
一、技术进步是智能制造产生的根本动力 |
二、经济危机是智能制造产生的催化剂 |
第三节 智能制造的生产组织模式 |
一、制造业生产组织模式变迁 |
二、智能制造的生产组织模式创新 |
第四节 智能制造的技术-经济范式体系 |
一、范式及技术-经济范式概念界定 |
二、技术革命的划分及其技术-经济范式变迁分析 |
三、第三次工业革命下的智能制造技术-经济范式 |
第三章 智能制造关键基础性产业全球发展态势比较分析 |
第一节 集成电路和传感器产业 |
第二节 高档数控机床产业 |
第三节 工业机器人产业 |
第四节 软件和信息技术服务业 |
第四章 G20国家智能制造发展水平实证分析 |
第一节 智能制造发展水平的分析思路及方法 |
一、智能制造发展水平的分析思路 |
二、投入产出分析方法及直接消耗系数 |
三、制造业智能化指数的概念及其对智能制造发展水平的表征 |
第二节 相关产业的界定 |
一、信息通信技术产业的界定 |
二、机械自动化产业的界定 |
三、制造业的行业界定 |
第三节 制造业智能化指数的计算及数据来源 |
一、制造业智能化指数的计算方法 |
二、研究的国别及数据来源 |
第四节 实证结果分析 |
一、各国智能制造总体发展水平比较分析 |
二、分行业智能制造发展水平比较分析 |
三、中国智能制造发展水平分析 |
第五章 典型国家智能制造发展模式比较与经验借鉴 |
第一节 美国国家创新体系及先进制造业发展战略 |
一、美国国家创新体系和创新政策演变分析 |
二、美国先进制造业及工业互联网发展战略 |
第二节 德国国家创新体系及工业4.0战略 |
一、德国国家创新体系和创新政策演变分析 |
二、德国高技术创新战略及工业4.0发展战略 |
第三节 日本国家创新体系及新机器人战略 |
一、日本国家创新体系和创新政策演变分析 |
二、日本新机器人战略及互联工业倡议 |
第四节 美、德、日智能制造发展模式比较与启示 |
一、美、德、日智能制造发展模式的相同点 |
二、美、德、日智能制造发展模式的不同点 |
三、几点启示 |
第六章 中国智能制造发展现状分析 |
第一节 中国智能制造发展情况概述 |
一、智能制造发展的顶层设计逐步完善 |
二、智能制造标准体系建设全面展开 |
三、智能制造关键基础性产业持续发展 |
四、企业积极参与推动智能制造发展 |
五、各地方政府主动对接智能制造发展 |
第二节 中国智能制造发展存在的问题分析 |
一、智能制造发展基础薄弱,自主创新意识和能力不强 |
二、官产学研的协同创新机制尚未建立起来 |
三、智能制造推进平台缺失 |
四、企业的主体引领作用不突出 |
五、政策规划相对宽泛,没有突出自身特点和优势 |
六、相关教育和人才缺失 |
第七章 推进中国智能制造发展的创新路径 |
第一节 推进中国智能制造发展的基本原则 |
第二节 推进中国智能制造发展的路径分析 |
一、发展目标:以建设制造强国为目标的智能制造发展导向 |
二、创新主导力量:政府引领、产业界主导、研究机构和大学紧密合作的智能制造创新网络 |
三、涵盖领域:涵盖重要战略性新兴产业的智能制造发展领域 |
四、重点环节和思路:面向不同发展优势和水平的差异化发展战略 |
第三节 推进中国智能制造发展的对策建议 |
一、深化智能制造相关基础理论体系的研究 |
二、加强智能制造关键技术和装备的攻关 |
三、健全智能制造发展的体制机制 |
四、完善智能制造发展的政策保障 |
五、强化智能制造相关人才的教育和培训 |
第八章 结论 |
第一节 本文的主要结论 |
第二节 有待进一步研究的问题 |
参考文献 |
攻读学位期间承担的科研任务与主要成果 |
致谢 |
个人简历 |
四、奥地利微电子推出可编程能量测量集成电路(论文参考文献)
- [1]战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角[D]. 刘伟岩. 吉林大学, 2020(03)
- [2]自加热双惠斯通电桥MEMS风速风向传感器研究[D]. 高适萱. 东南大学, 2020(01)
- [3]中国物理学院士群体计量研究[D]. 刘欣. 山西大学, 2019(01)
- [4]2015:物联网引领芯片厂商创新[J]. 王莹,叶雷. 电子产品世界, 2015(01)
- [5]奥地利微电子公司差异化竞争战略研究[D]. 郭玉峰. 华东理工大学, 2014(06)
- [6]用于植入式脑电记录的低噪声高输入阻抗模拟前端芯片的研究与设计[D]. 梁志明. 华南理工大学, 2020(05)
- [7]教育部关于印发普通高中课程方案和语文等学科课程标准(2017年版2020年修订)的通知[J]. 教育部. 中华人民共和国教育部公报, 2020(06)
- [8]桥梁变形监测中基于MEMS加速度倾角传感器的设计与研究[D]. 朱佳鑫. 华南理工大学, 2020(02)
- [9]准入机制作用下的航天元器件市场竞争博弈与策略选择[D]. 杜俊. 国防科技大学, 2019(01)
- [10]智能制造发展的国际比较与中国抉择[D]. 王媛媛. 福建师范大学, 2019(12)