一、几种Al_2O_3陶瓷金属化产品的分析报告（论文文献综述）
陆琪,刘英坤,乔志壮,刘林杰,高岭[1]（2021）在《陶瓷基板研究现状及新进展》文中研究说明近年来,电力机车、电动汽车和微波通信等行业发展迅速,系统所用的电子器件具有大功率、小尺寸、高集成和高频率等特点。为满足电子器件散热、密封和信号传输优良的需求,陶瓷基板以较高的热导率、与半导体材料相匹配的热膨胀系数、致密的结构和较高的机械强度等特性得到广泛的应用。首先综述了不同陶瓷基板材料的性能、发展历史和新进展,分析了各自的优缺点;然后综述了陶瓷基板的制备工艺,对多层共烧陶瓷技术进行了详细介绍,并简述了陶瓷基板的应用;最后指出了陶瓷基板的研究方向和面临的挑战。
聂源[2]（2020）在《氮化铝基薄膜电路基板制作及性能研究》文中研究说明新一代的氮化铝（AlN）陶瓷基板,导热系数高达230W（m.k）,介电损耗0.0002,相对介电常数8.7,电阻率>1014Ω.m,热膨胀率4.0-6.0,3点抗弯强度450MPa,成本为氧化铝（Al2O3）陶瓷的1/4,为氧化铍（Be O）陶瓷的1/5,性能参数已可完美替代Al2O3陶瓷基板和Be O陶瓷基板,可同时满足高频通讯和大功率器件散热要求。因此,AlN基板表面金属化电路制作成为混合集成电路（HIC）设计应用的重要研究内容。微带电路由微带线和电子元件组成,而主要的电路基板为Al2O3陶瓷和Be O陶瓷。由于Be O陶瓷加工时的毒性,对人体和环境的严重危害,Al2O3陶瓷由于其导热系数不高29 W（m.k）,不能运用到大功率散热器件上。本次课题以AlN陶瓷基板为底材,通过薄膜电路技术制备后其表面的导带并集成薄膜电阻、电感等无源器件并加工制作金属化接地孔,有效的解决了微波电路小型化、集成化的问题,产品可靠性更佳,制造成本更低,未来在市场应用更广。1.简要介绍AlN陶瓷基板特性、应用现状及国内外研究动态,介绍本次课题自身主要研究工作,以及产品主要技术指标。2.完成AlN陶瓷基板的电路设计与工艺路线实现。设计出3种AlN基板电路:S波段电桥电路、功率电阻电路和金属化孔电路,完成后分别测试其电性能参数指标,验证是否达到设计要求;通过对AlN基板电路制作金属化方法研究,最终确定薄膜工艺路线,通过磁控溅射法进行AlN基表面金属层种植。3.对AlN基板电路制作关键工艺进行研究,研究了打孔夹具、占空比、扫描速度对激光加工质量的影响;不同清洗条件及清洗方案对表面清洗质量的影响;不同溅射工艺条件及参数对着膜质量的影响;钛钨（Ti W）抗刻蚀层对湿法蚀刻线路质量的影响以及弹性模量对划片质量的研究,完成了AlN基板电路金属化制作,并制作出了成品。4.完成AlN基3种电路基板的各项参数测试,电性能指标满足设计及使用要求。
高陇桥,崔高鹏,刘征[3]（2020）在《氮化铝陶瓷金属化技术的探讨》文中提出本文对目前常用的电子陶瓷（例如,氮化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、氧化铝陶瓷）的性能和金属化技术进行了初步的比较,提出了氮化铝陶瓷要加强其应用研究,特别是要进一步提高其Mo-Mn法封接强度,论述了氧化铍陶瓷比氮化铝陶瓷DBC技术上的某些优势。
范彬彬,赵林,谢志鹏[4]（2020）在《陶瓷与金属连接的研究及应用进展》文中研究说明陶瓷与金属的连接件在新能源汽车、电子电气、半导体封装和IGBT模块等领域有着广泛的应用,因此,具有高强度、高气密性的陶瓷与金属的封接工艺至关重要。目前,国内外在该领域内对于烧结金属粉末法（陶瓷金属化）、活性金属钎焊法和陶瓷基板覆铜等连接工艺已经有了深入研究和许多进展。本文对近二十年国内外广泛用于陶瓷与金属连接的产业化工艺技术及其应用进行阐述,并对其发展方向进行展望。
王玲,康文涛,高朋召,康丁华,张桓桓[5]（2019）在《陶瓷金属化的方法、机理及影响因素的研究进展》文中研究指明主要介绍了陶瓷金属化的工艺流程,综述了近十年来陶瓷金属化的主要方法及相关机理研究,总结了金属化配方、烧结温度、显微结构等因素对陶瓷金属化效果的影响,并列举了陶瓷金属化效果的评价方法,最后对陶瓷金属化工艺的下一步的研究工作进行了展望。
陈科成[6]（2019）在《功率电子器件封装用氮化铝陶瓷基板覆铜的研究》文中研究表明近年来制造功率电子器件都以细微加工和MOS工艺为基础,从而推动了功率电子器件向集成化、模块化方向发展;高压大功率需求的不断增加以及工艺技术的飞速革新,推动着功率器件向着小体积、高性能、速度快的方向发展,在封装时通过多芯片连接从而实现模块化是大势所趋,由此而引发的电路发热量也迅速提高,这将导致功率模块器件单位体积内所生成的热量急剧累积,使得芯片寿命下降。解决器件散热问题的关键在于选择合适的封装基板,AlN陶瓷覆铜基板以其优良的导热和导电性能,在功率电子器件封装领域得到了广泛的关注与研究,具有非常广阔的应用前景。因此为了获得较高质量的AlN陶瓷覆铜基板,本课题采用厚膜金属化工艺和薄膜金属化工艺制备了AlN陶瓷金属化覆铜样品,通过对工艺的调节与研究,优化了AlN陶瓷金属化覆铜的工艺且获得了性能优良的金属化覆铜基板。本论文主要研究成果如下:（1）在AlN基板上通过丝网印刷的方式刷涂纯CuO浆料,然后在10001100℃下进行气氛热处理,成功获得了厚膜金属化覆铜样品。通过测试发现所获得金属化膜层厚度约为5080μm,最优热处理温度为1075℃,在此温度下所获得的金属化样品性能最优,表面膜层孔隙率最低,膜层方阻为0.458mΩ/□,膜层附着力为15.315 MPa;经分析发现是由于结合界面处铜的氧化物和AlN基板在氧气气氛下发生化学反应,生成CuAlO2和CuAl2O4,对金属化基板结合强度有着重要的影响。（2）通过在AlN基板上预先刷涂一层活性浆料,然后再刷涂CuO浆料的方式对AlN金属化基板金属化膜层进行加厚处理,然后经9501050℃气氛热处理,成功获得了活性厚膜金属化覆铜基板。通过测试可知所获样品膜层厚度有了较大的提升,约为145180μm;最优热处理温度为1000℃,此时表面膜层孔隙率最低,膜层方阻为4.008 mΩ/□,膜层附着力为23.691 MPa;经分析发现,活性浆料中的Al粉和Ti粉在增强结合力的方面起着较为重要的作用,Al粉发生反应生成的Al2O3高温下可以和铜的氧化物发生反应,在相对较低温度时即可生成CuAl2O4,以及Ti粉和AlN基板反应生成TiN等物质均能够有效提高金属化覆铜基板的结合力。（3）通过调节不同金属靶材的工作气压和溅射功率,以台阶仪表征溅射薄膜层厚度,确定了各靶材的最优溅射工艺参数及相应的溅射速率;以最优工艺参数在AlN基板表面分别溅射2μm的W、Mo、Ti、Al膜层,然后将预溅射不同金属膜层的AlN基板再共同溅射金属铜膜层,经1000℃还原性气氛热处理实现了AlN基板薄膜法覆铜。通过测试发现所获得薄膜金属层厚度约为14μm,中间层为W的金属化基板表面膜层状态最优,W的存在可以促进表面铜膜呈现相对强烈的能有效降低膜层缺陷的（111）织构,其表面方阻为5.840 mΩ/□,膜层附着力达25.452 MPa;经分析可知,钨的热膨胀系数较低,可起到缓解热应力的作用,且在热处理时钨和氮可形成高晶格能化合物,从而增强金属化膜层在AlN表面的附着力。
高陇桥,刘征[7]（2019）在《我国陶瓷—金属封接技术的进步》文中提出受到广泛应用的陶瓷金属化和封接技术在中国取得了很大的进步。例如:已经能很好的对高Al2O3陶瓷与多种金属进行结合。本文对我国陶瓷金属化和封接领域技术进步与不足也进行了某些评论。
季磊[8]（2019）在《AlN陶瓷基板用厚膜电子浆料的制备及工艺研究》文中提出本文采用高温熔融冷却法制备出与AlN陶瓷具有良好兼容性的ZBS（ZnO-B2O3-SiO2）玻璃粉,利用此玻璃粉制备了AlN陶瓷用导电银浆,并采用厚膜法实现了AlN陶瓷银金属化。本文主要研究了浆料的丝网印刷性能,包括:粘度、细度、印刷膜层的分辨率和表面粗糙度,以及烧结工艺、玻璃粘结剂和CuO添加剂对金属化AlN陶瓷基板性能的影响,从而确定出最佳的工艺参数。最后,通过添加一定的纳米银和片状银进一步地对金属化基板的电学性能进行优化,同时研究了不同规格的微米银粉对银浆电学性能的影响。研究结果表明:1.30ZnO-60B2O3-10SiO2玻璃的软化温度较低,热性能较好,且与AlN陶瓷具有良好的相容性,适合用作AlN陶瓷用电子浆料的玻璃粘结剂。2.通过三辊轧机轧制后可以使浆料的细度达到7.5μm,且当导电浆料的固含量为73%（粘度为112Pa·s）时,浆料的流平性能最好,印刷膜层的分辨率最高,当表面活性剂的含量为2%时,印刷膜层具有最低的表面粗糙度。3.烧结温度为850℃、保温时间为15min,表面膜层的致密度最高（孔隙率最低为3.96%）;而当玻璃粉含量分别为3%和5%时,金属化AlN陶瓷基板获得最低的表面方阻和最高的剪切强度。4.通过球磨工艺使玻璃粉粒径降低到2.69μm时,烧结后的银层最为致密（孔隙率最低为2.41%）,金属化AlN陶瓷基板的表面方阻最低。5.在浆料中掺杂纳米CuO可以很大程度地提高金属化AlN陶瓷基板的力学性能,而当其掺杂量为3%时,银层与基板的接触更为充分,电学性能更好。6.纳米银和片状银可以减小银粉之间的空隙,在浆料中掺杂一定量的纳米银和片状银能够有效地提高金属化AlN陶瓷基板的电学性能,当纳米银和片状银的掺杂量为10%和50%时,银层的表面方阻可以分别降低到6.8mΩ/□和6.2mΩ/□。7.实验发现具有更小尺寸的球形微米银粉可以制备出电学性能更好的导电银浆。
郎小月[9]（2018）在《大功率LED散热用氮化铝陶瓷基板金属的制备与性能研究》文中提出为了得到高热导、高结合强度的大功率LED散热基板,利用沉降法在氮化铝陶瓷基板表面快速覆钨,并在室温下通过激光扫描实现钨在氮化铝陶瓷基板表面金属化。探究了激光扫描次数、扫描速度、金属钨粉添加量及粒度对金属化后基板性能的影响。利用扫描电子显微镜、能谱分析及X射线衍射仪对金属化基板表面及界面的微观结构、成分及物相进行观察和分析,利用力学试验机测试氮化铝与金属钨的结合强度,并测试得到金属化后基板的热导率。对激光与物质的相互作用机理进行了研究。研究结果显示,添加质量为1g、粒度为3-5 μm的金属钨粉,激光加热过程选择扫描1次,扫描速度为50 mm/s时,在氮化铝表面形成致密的金属钨层,且金属化后的金属钨在氮化铝陶瓷表面粒度分布均匀;激光束是将部分能量传递给金属钨和陶瓷基板,氮化铝陶瓷基板与金属钨层是通过一层熔融后形成的凝固态物质紧密连接的,二者之间的传质方式是通过扩散、溅射以及发生化学反应实现的,这些反应有利于金属与陶瓷的结合;经测试金属钨与氮化铝陶瓷基板的剪切强度最大能达到62.5 MPa,而金属与陶瓷金属化后整体的热导率为114.37 W/（m·K）,实现了陶瓷与金属的连接且为大功率电子器件散热提供了广阔的应用前景。
齐欣[10]（2017）在《TO257T型管壳封装设计及电子封装用95%Al2O3金属化层制备》文中认为自电子制造业出现,半导体元器件逐渐成为人们的研究热点。随着电路密度和功能的不断提高,人们对承载电子元件的的封装技术提出了更多更高的要求。电子封装材料由热固性塑料、硅酮塑料等有机材料逐渐向可靠性更高的陶瓷及金属材料过渡。对于航空航天、军工等领域,封装的可靠与否直接决定电子产品的安全性能,提高管壳封装的可靠性对于半导体行业的发展有重大意义。本文从TO257T型管壳的封装技术及电真空器件中氧化铝陶瓷的封接技术两方面入手,对封接技术进行改良。针对TO-257T管壳封装材料进行设计,研究不同封装材料对于管壳气密性、热阻率的影响,探索通过更换热沉材料,提高管壳对芯片保护能力的可行性。为提高管壳中陶瓷绝缘子与金属框架的封接性能,围绕95%Al2O3陶瓷的可焊性,展开对陶瓷金属化层的研究。采用高温烧结法,在95%Al2O3陶瓷表面进行金属化层制备。在Mo-Mn法的基础上,对陶瓷金属化工艺进行优化改良。本文探讨MnO-SiO2-Al2O3及MnO-TiO2体系两种活化剂体系对金属化层的影响,并针对两种活化体系的烧结过程进行工艺优化。试验结果表明,通过热沉材料,底板及边框材料的替换,可在不影响热阻性能的前提下提高芯片保护可靠性。各零部件封装工艺采用银铜共晶焊料,在800℃下保温3min,钎焊后各零件结合良好,焊缝均匀平整。其中纯铜底板与80WCu封装性能良好,经1000次温循,以喷吹法进行气密性检测,漏率小于最小显示漏率,达到宇航级标准。以MnO-SiO2-Al2O3及MnO-TiO2作为活化剂,对95%Al2O3陶瓷表面进行金属化烧结,烧结过程中均出现陶瓷向金属化层及金属化层向陶瓷基体的双向扩散。在金属化烧结过程中,Mo颗粒在高温下不完全致密化,氧化物形成高温液相润湿Mo颗粒并填充到Mo颗粒的间隙,与颗粒表层的Mo发生反应,形成3CaO·MoO3、2MnO·3MoO2等复杂化合物,降温后在颗粒间形成良好的连接。Mo颗粒与高温液相的反应提高液相对金属Mo的润湿性,有利于金属化层与陶瓷基体的结合。以MnO-TiO2作为活化剂进行金属化层制备时,陶瓷金属化层界面化学反应及液相的迁移同时存在,MnO与陶瓷基体反应形成MnO·Al2O3,陶瓷与金属化层在反应层紧密结合。金属化温度、活化剂配比对金属化层质量有较大影响。在特定温度区间内,随烧结温度上升,金属化层致密度提高,孔隙减少,金属化层力学性能提高。以MnO-SiO2-Al2O3作为活化剂进行金属化层制备时,在MnO、SiO2、Al2O3比例为50:35:15,活化剂与Mo粉颗粒比例1:3,1400℃烧结时,可得到致密性较高,力学性能较好的金属化涂层。金属化层与陶瓷结合强度高,拉伸断裂实验粘瓷明显。以MnO-TiO2作为活化剂进行金属化层制备时,MnO、TiO2比例为63:37,活化剂与Mo粉颗粒比例1:3,在1450℃烧结时金属化层致密性最佳,拉伸断裂强度达最大值。
二、几种Al_2O_3陶瓷金属化产品的分析报告（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、几种Al_2O_3陶瓷金属化产品的分析报告（论文提纲范文）
（1）陶瓷基板研究现状及新进展（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 陶瓷基板材料 |
| 1.1 氧化铍(Be O) |
| 1.2 氧化铝(Al2O3) |
| 1.3 氮化铝(Al N) |
| 1.4 氮化硅(Si3N4) |
| 1.5 其他陶瓷材料 |
| 2 陶瓷基板 |
| 2.1 平面陶瓷基板 |
| 2.2 多层陶瓷基板 |
| 3 陶瓷基板的应用 |
| 4 结语 |
（2）氮化铝基薄膜电路基板制作及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 氮化铝陶瓷基板简介 |
| 1.1.1 氮化铝基板特性 |
| 1.1.2 氮化铝基板的应用现状 |
| 1.1.3 本课题的研究价值与意义 |
| 1.1.4 氮化铝基板电路制作的研究动态 |
| 1.2 本课题的主要工作及产品技术指标 |
| 1.2.1 本课题的主要工作 |
| 1.2.2 产品主要技术指标 |
| 1.3 本章小结 |
| 第二章 ALN基板电路设计与工艺设计 |
| 2.1 AlN基板电路设计 |
| 2.1.1 S波段电桥电路设计方案 |
| 2.1.2 功率电阻设计方案 |
| 2.1.3 金属化孔基板设计方案 |
| 2.2 AlN基板电路制作工艺设计 |
| 2.2.1 材料选型 |
| 2.2.2 氮化铝陶瓷基板表面金属化方法研究 |
| 2.2.3 薄膜金属化制作方法研究 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 ALN基板电路制作关键工艺研究 |
| 3.1 AlN基板激光加工的研究 |
| 3.1.1 激光加工的原理 |
| 3.1.2 打孔夹具方案设计 |
| 3.1.3 占空比对加工质量的影响 |
| 3.1.4 扫描速度对加工质量的影响 |
| 3.2 AlN基板清洗工艺的研究 |
| 3.2.1 清洗工艺实验材料及检测仪器 |
| 3.2.2 高温处理对AlN基板表面元素成分的影响 |
| 3.2.3 不同清洗工艺的对比试验及检测 |
| 3.3 AlN基板溅射工艺的研究 |
| 3.3.1 AlN基板金属化膜系的选择 |
| 3.3.2 不同工艺条件对TaN薄膜的影响 |
| 3.3.3 不同工艺条件对TiW-Au膜层附着力的影响 |
| 3.4 TiW抗蚀刻层湿法工艺的研究 |
| 3.4.1 实验方案 |
| 3.4.2 实验内容 |
| 3.4.3 结果分析 |
| 3.5 AlN基板划片工艺研究 |
| 3.5.1 划片过程分析 |
| 3.5.2 划片实验方案 |
| 3.5.3 划片实验结果及讨论 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 ALN基板电路性能测试与研究 |
| 4.1 AlN基板电路工艺技术指标测试 |
| 4.1.1 AlN基板电路检验 |
| 4.1.2 AlN基板附着力检验 |
| 4.1.3 AlN基板线宽精度测试 |
| 4.1.4 AlN基板金属化孔测试 |
| 4.1.5 AlN基板电阻精度测试 |
| 4.2 AlN基板电路设计性能指标测试 |
| 4.2.1 AlN基板电桥电路性能测试 |
| 4.2.2 AlN基板功率电阻性能测试 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（3）氮化铝陶瓷金属化技术的探讨（论文提纲范文）
| 1 实验 |
| 1.1 封接强度和气密性 |
| 1.2 金属化膏剂 |
| 1.3 AlN金属化烧结工艺 |
| 1.4 实验结果 |
| 2 金属化界面和化学键 |
| 3 几种电子陶瓷的应用比较 |
| 3.1 AlN陶瓷 |
| 3.2 BeO陶瓷 |
| 3.3 Al2O3瓷 |
（5）陶瓷金属化的方法、机理及影响因素的研究进展（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 陶瓷金属化工艺 |
| 2 陶瓷金属化机理 |
| 3 陶瓷金属化的方法 |
| 3.1 Mo-Mn法 |
| 3.2 活化Mo-Mn法 |
| 3.3 活性金属钎焊法 |
| 3.4 直接覆铜法(DBC) |
| 3.5 磁控溅射法 |
| 4 陶瓷金属化性能的影响因素 |
| 4.1 金属化配方 |
| 4.2 金属化温度及保温时间 |
| 4.3 金属化层显微结构 |
| 4.4 其他因素 |
| 5 金属化效果的评价方法 |
| 6 展望 |
（6）功率电子器件封装用氮化铝陶瓷基板覆铜的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 功率电子器件封装用基板 |
| 1.2.1 有机封装基板 |
| 1.2.2 金属及金属基复合材料封装基板 |
| 1.2.3 陶瓷基封装基板 |
| 1.3 AlN陶瓷概况及应用 |
| 1.3.1 AlN陶瓷概况 |
| 1.3.2 AlN陶瓷基板的应用 |
| 1.4 AlN陶瓷基板金属化 |
| 1.4.1 化学镀金属化 |
| 1.4.2 直接覆铜金属化 |
| 1.4.3 薄膜金属化 |
| 1.4.4 厚膜金属化 |
| 1.5 选题意义与研究内容 |
| 1.5.1 选题意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 2 实验部分 |
| 2.1 实验药品和实验仪器 |
| 2.1.1 实验药品 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 分析测试方法 |
| 2.2.1 扫描电镜(SEM)及能谱(EDS)测试 |
| 2.2.2 表面铜层孔隙率测试 |
| 2.2.3 X射线衍射(XRD)测试 |
| 2.2.4 膜层厚度测试 |
| 2.2.5 膜层附着力测试 |
| 2.2.6 表面铜层四探针方阻测试 |
| 3 AlN陶瓷基板厚膜法覆铜 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品制备 |
| 3.2.1 配制电子浆料 |
| 3.2.2 AlN陶瓷基板厚膜覆铜 |
| 3.3 实验结果与分析 |
| 3.3.1 温度对表面铜层形貌的影响 |
| 3.3.2 温度对表面铜层方阻的影响 |
| 3.3.3 温度对金属化基板附着力的影响 |
| 3.3.4 温度对金属化基板结合界面的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 AlN陶瓷基板活性厚膜法覆铜 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品制备 |
| 4.3 实验结果与分析 |
| 4.3.1 温度对表层形貌的影响 |
| 4.3.2 断面微观形貌及能谱分析 |
| 4.3.3 温度对表层方阻的影响 |
| 4.3.4 温度对附着力的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 AlN陶瓷基板薄膜法覆铜 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品制备 |
| 5.2.1 靶材工艺参数优化 |
| 5.2.2 AlN薄膜法溅射覆铜 |
| 5.3 实验结果与分析 |
| 5.3.1 溅射功率对膜层厚度的影响 |
| 5.3.2 工作气压对膜层厚度的影响 |
| 5.3.3 中间金属层对表面铜层微观形貌的影响 |
| 5.3.4 断面微观形貌及能谱分析 |
| 5.3.5 表面铜层XRD分析 |
| 5.3.6 中间金属层对表面铜层方阻的影响 |
| 5.3.7 中间金属层对金属化基板附着力的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
（7）我国陶瓷—金属封接技术的进步（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 活化Mo-Mn法高Al2O3瓷的封接技术 |
| 2.1 Mo粉的形状和颗粒大小 |
| 2.2 Mo粉在金属化组份中的含量 |
| 2.3 金属化层活化剂的组成 |
| 2.4 玻璃相迁移的双毛细管模型 |
| 2.5 金属化层中玻璃相的膨胀系数 |
| 2.6 金属化层组分中应含有的有机化合物 |
| 2.7 Mn是MnO, Mo是微氧化 |
| 3 活性合金法陶瓷-金属接合 (AMB) |
| 3.1 活性金属封接中焊料的浸润性 |
| 3.2 对活性合金焊料组分的思考 |
| 3.3 Zr-Ag-Cu活性焊料的探讨 |
| 3.4 活性焊料对Si3N4瓷的接合 |
| 4 结束语 |
（8）AlN陶瓷基板用厚膜电子浆料的制备及工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电子浆料的分类与发展 |
| 1.2.1 电子浆料的分类 |
| 1.2.2 电子浆料的发展 |
| 1.3 AlN陶瓷封装材料 |
| 1.3.1 AlN陶瓷的特性 |
| 1.3.2 AlN陶瓷的应用 |
| 1.4 AlN陶瓷金属化 |
| 1.4.1 AlN陶瓷金属化方法 |
| 1.4.2 AlN陶瓷厚膜金属化机理与研究现状 |
| 1.5 本课题提出和研究内容 |
| 第二章 样品制备与测试方法 |
| 2.1 实验材料与实验设备 |
| 2.1.1 实验材料 |
| 2.1.2 实验设备 |
| 2.2 玻璃粘结剂的制备 |
| 2.3 有机载体的制备 |
| 2.4 导电银浆的制备 |
| 2.5 金属化AlN陶瓷基板的制备 |
| 2.6 测试方法 |
| 2.6.1 玻璃的性能测试 |
| 2.6.2 浆料的性能测试 |
| 2.6.3 金属化AlN陶瓷基板的性能测试 |
| 第三章 AlN陶瓷用导电银浆的制备工艺 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 玻璃相的选择 |
| 3.2.1 ZBS玻璃成分的确定与制备 |
| 3.2.2 ZBS玻璃与AlN陶瓷的润湿行为 |
| 3.2.3 ZBS玻璃的热性能分析 |
| 3.2.4 ZBS玻璃的密度和气孔率 |
| 3.3 导电银浆的制备及印刷性能研究 |
| 3.3.1 有机载体的确定及银浆的制备 |
| 3.3.2 浆料的细度 |
| 3.3.3 浆料的粘度与流变性能 |
| 3.3.4 印刷膜层的分辨率 |
| 3.3.5 印刷膜层的表面粗糙度 |
| 3.4 导电银浆的差热分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 厚膜金属化AlN陶瓷基板的性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 金属化基板的烧结工艺 |
| 4.2.1 烧结温度对金属化基板性能的影响 |
| 4.2.2 保温时间对金属化基板性能的影响 |
| 4.3 玻璃粉对金属化基板性能的影响 |
| 4.3.1 玻璃粉含量对金属化基板性能的影响 |
| 4.3.2 玻璃粉粒径对金属化基板性能的影响 |
| 4.4 掺杂CuO对金属化AlN陶瓷基板性能的影响 |
| 4.4.1 CuO的掺杂机理 |
| 4.4.2 掺杂CuO对金属化AlN陶瓷基板电学性能的影响 |
| 4.4.3 掺杂CuO对金属化AlN陶瓷基板力学性能的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 银粉的粒径与形貌对银浆膜层电学性能的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 掺杂纳米银对银浆膜层电学性能的影响 |
| 5.3 掺杂片状银对银浆膜层电学性能的影响 |
| 5.4 不同规格微米银对银浆膜层电学性能的影响 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 全文总结与课题展望 |
| 6.1 本文主要结论 |
| 6.2 本文创新 |
| 6.3 课题展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间的研究成果以及发表的学术论文 |
（9）大功率LED散热用氮化铝陶瓷基板金属的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 几种不同的陶瓷基板材料 |
| 1.2.1 Al_2O_3陶瓷基板 |
| 1.2.2 SiC陶瓷基板 |
| 1.2.3 BeO陶瓷基板 |
| 1.2.4 Si_3N_4陶瓷基板 |
| 1.2.5 AlN陶瓷 |
| 1.3 AlN陶瓷特性 |
| 1.3.1 AlN晶体结构 |
| 1.3.2 氮化铝的导热机理 |
| 1.4 AlN陶瓷金属化 |
| 1.4.1 AlN陶瓷的金属化方法 |
| 1.4.1.1 机械连接法 |
| 1.4.1.2 厚膜法(烧结金属法) |
| 1.4.1.3 薄膜法(真空蒸镀法) |
| 1.4.1.4 活性金属钎焊法 |
| 1.4.1.5 化学镀铜金属化 |
| 1.4.1.6 直接覆铜法(DBC) |
| 1.5 激光扫描AlN陶瓷金属化 |
| 1.5.1 激光特性 |
| 1.5.2 材料对激光的反射和吸收 |
| 1.5.3 材料与激光的相互作用 |
| 1.5.4 激光加热法AlN陶瓷表面金属化 |
| 1.6 金属与陶瓷连接的理论要求 |
| 1.6.1 物理相容性 |
| 1.6.2 化学相容性 |
| 1.6.2.1 热力学条件 |
| 1.6.2.2 动力学条件 |
| 1.6.3 金属与陶瓷界面结合方式 |
| 1.7 研究意义及内容 |
| 第2章 制备方法与测试 |
| 2.1 实验原料及设备 |
| 2.2 实验过程 |
| 2.2.1 金属化实验步骤 |
| 2.2.2 实验流程图 |
| 2.3 实验研究内容 |
| 2.4 性能表征 |
| 第3章 表面研究结果与分析 |
| 3.1 AlN陶瓷表面金属化表面形貌 |
| 3.2 陶瓷表面处理对组织影响 |
| 3.3 激光扫描次数不同对表面形貌影响 |
| 3.4 扫描速度不同对表面形貌影响 |
| 3.5 添加金属钨克数不同对表面形貌影响 |
| 3.6 添加金属钨粒度不同对表面组织影响 |
| 3.7 本章小结 |
| 第4章 界面研究结果及其它性能分析 |
| 4.1 AlN陶瓷金属化界面形貌 |
| 4.1.1 界面点扫描 |
| 4.1.2 界面线扫描 |
| 4.1.3 界面面扫描 |
| 4.1.4 扫描次数对界面形貌影响 |
| 4.2 物相分析 |
| 4.2.1 激光扫描次数对纯氮化铝陶瓷基板物相影响 |
| 4.2.2 激光扫描次数对金属化后基板物相影响 |
| 4.2.3 氮化铝基板金属化后表面处理物相分析 |
| 4.3 AlN陶瓷表面金属化热导率及剪切强度 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（10）TO257T型管壳封装设计及电子封装用95%Al2O3金属化层制备（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 电子集成及微组装工艺 |
| 1.1.1 电子集成概论 |
| 1.1.2 微组装工艺及其发展 |
| 1.2 电子封装材料概况 |
| 1.2.1 电子封装材料简介 |
| 1.2.2 封装材料的分类 |
| 1.3 氧化铝陶瓷封接工艺与金属化 |
| 1.3.1 氧化铝陶瓷应用简介 |
| 1.3.2 陶瓷金属封接工艺 |
| 1.4 Mo-Mn法及活化Mo-Mn法对Al_2O_3陶瓷金属化 |
| 1.4.1 Mo-Mn法 |
| 1.4.2 活化Mo-Mn法 |
| 1.5 镍涂层的应用 |
| 1.5.1 电镀镍 |
| 1.5.2 烧结镍 |
| 1.5.3 化学镀镍 |
| 1.6 本文的主要研究内容 |
| 第2章 试验材料及方法 |
| 2.1 试验材料 |
| 2.1.1 TO-257T-New管壳封装 |
| 2.1.2 95%Al_2O_3陶瓷金属化层制备 |
| 2.2 TO-257T-New管壳封装试验及测试方法 |
| 2.2.1 TO-257T-New管壳封装流程 |
| 2.2.2 温度循环及气密性测试 |
| 2.2.3 热阻测试 |
| 2.3 95%Al_2O_3陶瓷金属化层制备及测试方法 |
| 2.3.1 95%Al_2O_3陶瓷金属化层制备及封接 |
| 2.3.2 物相分析 |
| 2.3.3 形貌及成分分析 |
| 2.3.4 抗拉强度测试 |
| 第3章 高可靠半导体管壳封装设计 |
| 3.1 管壳封装要求 |
| 3.1.1 封装基本原则 |
| 3.1.2. 封装可靠性 |
| 3.1.3 散热条件控制 |
| 3.2 封装材料设计 |
| 3.2.1 绝缘片 |
| 3.2.2. 底板 |
| 3.2.3 边框 |
| 3.2.4 热沉片 |
| 3.2.5 接地线 |
| 3.2.6 绝缘子 |
| 3.2.7 密封环、引线及盖板 |
| 3.3 封装工艺设计 |
| 3.3.1 封装工艺参数设计 |
| 3.3.2 焊缝组织测试 |
| 3.4 管壳性能测试 |
| 3.4.1 温度循环及气密性测试 |
| 3.4.2 热阻测试 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 MnO-SiO_2-Al_2O_3系活化剂金属化层 |
| 4.1 金属化配方设计 |
| 4.1.1 Mo粉及MnO-SiO_2-Al_2O_3体系的选择 |
| 4.1.2 氧化物膨胀系数设计 |
| 4.1.3 活化剂熔化温度 |
| 4.2 金属化层表面物相分析 |
| 4.3 金属化层组织形貌及成分分析 |
| 4.3.1 金属化层表层组织形貌及成分 |
| 4.3.2 金属化层下层组织形貌及成分 |
| 4.3.3 金属化层横截面微观组织及成分分析 |
| 4.4 金属化层原理分析 |
| 4.5 涂层厚度对金属化层组织的影响 |
| 4.6 烧结温度对金属化层组织的影响 |
| 4.7 MnO-SiO_2-Al_2O_3配比对金属化层的影响 |
| 4.9 焊接及抗拉性能 |
| 4.10 本章小结 |
| 第5章 MnO-TiO_2系活化剂金属化层 |
| 5.1 金属化配方设计 |
| 5.1.1 Mo粉及MnO-TiO_2体系的选择 |
| 5.1.2 氧化物膨胀系数设计 |
| 5.1.3 活化剂熔化温度 |
| 5.2 金属化层物相分析 |
| 5.3 金属化层表面组织形貌及成分分析 |
| 5.4 金属化截面形貌及成分分析 |
| 5.5 不同烧结温度对金属化层的影响 |
| 5.6 本章小结 |
| 第6章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
四、几种Al_2O_3陶瓷金属化产品的分析报告（论文参考文献）
- [1]陶瓷基板研究现状及新进展[J]. 陆琪,刘英坤,乔志壮,刘林杰,高岭. 半导体技术, 2021(04)
- [2]氮化铝基薄膜电路基板制作及性能研究[D]. 聂源. 电子科技大学, 2020(03)
- [3]氮化铝陶瓷金属化技术的探讨[J]. 高陇桥,崔高鹏,刘征. 真空电子技术, 2020(01)
- [4]陶瓷与金属连接的研究及应用进展[J]. 范彬彬,赵林,谢志鹏. 陶瓷学报, 2020(01)
- [5]陶瓷金属化的方法、机理及影响因素的研究进展[J]. 王玲,康文涛,高朋召,康丁华,张桓桓. 陶瓷学报, 2019(04)
- [6]功率电子器件封装用氮化铝陶瓷基板覆铜的研究[D]. 陈科成. 中国计量大学, 2019(02)
- [7]我国陶瓷—金属封接技术的进步[J]. 高陇桥,刘征. 山东陶瓷, 2019(02)
- [8]AlN陶瓷基板用厚膜电子浆料的制备及工艺研究[D]. 季磊. 南京航空航天大学, 2019(02)
- [9]大功率LED散热用氮化铝陶瓷基板金属的制备与性能研究[D]. 郎小月. 东北大学, 2018(02)
- [10]TO257T型管壳封装设计及电子封装用95%Al2O3金属化层制备[D]. 齐欣. 山东大学, 2017(09)